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峰值电流触发了寄生BJT在耳道周围形成一个密封圈

发布时间:2022/5/22 22:52:07 访问次数:390

真无线耳塞式耳机有一个电池盒,当你不使用时可以放在盒子里给它们充电。

这个配件可以延长耳机的待机时长达16小时。如果你通常一整天都在听音乐,又担心电量不够用,这种类型的无线耳机可能是不错的选择。

耳机降噪的方式有两种:被动降噪和主动降噪。

被动降噪是指无线耳塞式耳机会在耳道周围形成一个密封圈,从物理上屏蔽不必要的声音。这种降噪方式不需要电池供应,但有一定的局限性。当然,你会听到更少的噪音,有点类似于用手指堵住耳朵来阻挡噪音进入。

功率MOSFET失效机理,寄生BJT不能被激活。然而实际中,这个小电阻作为基极电阻, 当大电流流过Rb时,Rb产生足够的压降使寄生BJT基极发射极正向偏置,触发寄生BJT。

一旦寄生BJT开通, 会产生一个热点,更多的电流将涌入该点。负温度系数 的BJT会使流过的电流越来越高。终导致器件失效。

二极管反向恢复时MOSFET失效波形。电流等级超过反向恢复电流峰值Irm时正好使器件失效。这意味着峰值电流触发了寄生BJT。由体二极管反向恢复引起芯片失效的烧毁标记。

对于USB 2.0线路,考虑使用SP3530单向TVS二极管或同等产品。 

这种TVS二极管可以安全地吸收22kV ESD冲击,几乎是IEC 61000-4-2要求的8kV水平的3倍,而且不会衰减。 通常,0.3pF的低电容可以最大限度地减少对信号转换的干扰。 该元件采用0201表面贴装封装,旨在节省PC板空间。

SuperSpeed线路需要一个具有尽可能低电容的元件,以免降低高速数据传输的性能。 

例如,SP3213 双向TVS二极管,两个阳极到阳极连接的二极管为高达12kV的ESD冲击提供保护。这些二极管通常只有20nA的漏电流,以最大限度地降低电路功耗,并采用紧凑的μDFN-2表面贴装封装。



真无线耳塞式耳机有一个电池盒,当你不使用时可以放在盒子里给它们充电。

这个配件可以延长耳机的待机时长达16小时。如果你通常一整天都在听音乐,又担心电量不够用,这种类型的无线耳机可能是不错的选择。

耳机降噪的方式有两种:被动降噪和主动降噪。

被动降噪是指无线耳塞式耳机会在耳道周围形成一个密封圈,从物理上屏蔽不必要的声音。这种降噪方式不需要电池供应,但有一定的局限性。当然,你会听到更少的噪音,有点类似于用手指堵住耳朵来阻挡噪音进入。

功率MOSFET失效机理,寄生BJT不能被激活。然而实际中,这个小电阻作为基极电阻, 当大电流流过Rb时,Rb产生足够的压降使寄生BJT基极发射极正向偏置,触发寄生BJT。

一旦寄生BJT开通, 会产生一个热点,更多的电流将涌入该点。负温度系数 的BJT会使流过的电流越来越高。终导致器件失效。

二极管反向恢复时MOSFET失效波形。电流等级超过反向恢复电流峰值Irm时正好使器件失效。这意味着峰值电流触发了寄生BJT。由体二极管反向恢复引起芯片失效的烧毁标记。

对于USB 2.0线路,考虑使用SP3530单向TVS二极管或同等产品。 

这种TVS二极管可以安全地吸收22kV ESD冲击,几乎是IEC 61000-4-2要求的8kV水平的3倍,而且不会衰减。 通常,0.3pF的低电容可以最大限度地减少对信号转换的干扰。 该元件采用0201表面贴装封装,旨在节省PC板空间。

SuperSpeed线路需要一个具有尽可能低电容的元件,以免降低高速数据传输的性能。 

例如,SP3213 双向TVS二极管,两个阳极到阳极连接的二极管为高达12kV的ESD冲击提供保护。这些二极管通常只有20nA的漏电流,以最大限度地降低电路功耗,并采用紧凑的μDFN-2表面贴装封装。



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