全新的ITV4030：一系列22安培、三端子、可表面贴装的锂离子电池保护器。

这些4.0 x 3.0 mm器件保护电池组免受过电流和过充（过电压）情况的影响。 创新的设计使用嵌入式保险丝和加热器元件，提供快速响应和可靠性能，在电池组过充或过热之前中断充电或放电电路。

另一种失效模式是击穿dv/dt。它是击穿和静态dv/dt的组合。功率器件同时承受雪崩电流和位移电流。

如果开关过程非常快,在体二极管反向恢复过程中，漏源极电压可能超过大额定值,漏源极电压 大值超过了570V,但器件为500V额定电压的MOSFET.过高的电压峰值使MOSFET进入击穿模式， 位移电流通过P-N结。这就是雪崩击穿的机理。另外,过高的dv/dt会影响器件的失效点。

输入电压范围: 1.9V-5.5V

输出电压范围: 1.2V~3.3V

输出电流: 300mA

静态电流: 58μA Typ

关机电流: <1μA

Dropout电压: 149mV@ IOut=0.3A

PSRR: 74dB@1KHz, 58dB@1MHz, VOUT=2.8V

低输出电压噪声: 15xVOUTμVrms

Vout精度: ±1.5%@VOUT>2V

dv/dt越大，建立起的位移电流就越大。位移电流叠加到雪崩电流后，器件受到伤害，导致失效。基本上，导致失效的根本原因是大电流、高温度引起的寄生BJT导通，但主要原因是体二极管反向恢复或击穿。实践中，这两种失效模式随机发生，有时同时发生。

功率电感器的磁性材料有两种铁氧体和金属。铁氧体电感器的电感值大，适用于需要大感量的应用；同时，在达到磁饱前，拥有平坦稳定的直流叠加特性。金属电感器受温度影响的电感变化较小，且相比铁氧体不容易磁饱和，拥有软饱和特性，适用于需要大电流的应用。