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85微米或引入线最大厚度使RFID集成电路芯片更加纤巧

发布时间:2022/5/19 17:30:40 访问次数:307

RKT101xxxMU m-Chip*1引入线*2。这是一种安装在RFID(射频识别)IC上的m-Chip,其全球最薄的85微米厚度有助于改善RFID标签的平坦度。

RKT101xxxMU是RKT101系列(已经生产)的一个新成员。与HKT100系列m-Chip引入线相比,该器件可以将通信距离扩展1.5倍。

最薄的85微米或以下的厚度,85微米或以下的引入线最大厚度可以使RFID集成电路芯片更加纤巧,同时开发了一种可最大限度地减少外部通信天线厚度的技术。

当在塑料或纸卡中植入引入线,或者将其附加于各种类型的标签或贴纸标签上时,可以有效地减少由于引入线引起的凸起,使引入线可用于更加纤巧的媒介。

标准线路施工继电器座件号举例,波音标准Burndy继电器安装面0003001560和BACs16W 14或16号BACS16W和BACs16X前退继电器座外形,BACS16W和BACS16X继电器座的结构,。继电器的定位方式有圆形极化、垂直极化和水平极化三种。


继电器安装面BACS16Wl和BACS16W5(28V DC),送线面继电器安装面。000300-1560和BACs16W继电器座插孔结构,BACS16W和BACS16X继电器座的插孔。

两款产品的最大导通电阻(RDS(on)max)都处于同类领先水平,STP65N045M9为45mΩ,STP60N043DM9为43mΩ。由于栅极电荷(Qg)非常低,在400V漏极电压时通常为80nC,两款器件都具有目前市场上一流的RDS(on)maxxQg品质因数(FoM)。

STP65N045M9的栅极阈压(VGS(th))典型值为3.7V,STP60N043DM9 的典型值为4.0V,与上一代的MDmesh M5和M6/DM6相比,可极大程度地降低通断开关损耗。

MDmesh M9和DM9系列的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr)也都非常低,这有助于进一步提高能效和开关性能。


RKT101xxxMU m-Chip*1引入线*2。这是一种安装在RFID(射频识别)IC上的m-Chip,其全球最薄的85微米厚度有助于改善RFID标签的平坦度。

RKT101xxxMU是RKT101系列(已经生产)的一个新成员。与HKT100系列m-Chip引入线相比,该器件可以将通信距离扩展1.5倍。

最薄的85微米或以下的厚度,85微米或以下的引入线最大厚度可以使RFID集成电路芯片更加纤巧,同时开发了一种可最大限度地减少外部通信天线厚度的技术。

当在塑料或纸卡中植入引入线,或者将其附加于各种类型的标签或贴纸标签上时,可以有效地减少由于引入线引起的凸起,使引入线可用于更加纤巧的媒介。

标准线路施工继电器座件号举例,波音标准Burndy继电器安装面0003001560和BACs16W 14或16号BACS16W和BACs16X前退继电器座外形,BACS16W和BACS16X继电器座的结构,。继电器的定位方式有圆形极化、垂直极化和水平极化三种。


继电器安装面BACS16Wl和BACS16W5(28V DC),送线面继电器安装面。000300-1560和BACs16W继电器座插孔结构,BACS16W和BACS16X继电器座的插孔。

两款产品的最大导通电阻(RDS(on)max)都处于同类领先水平,STP65N045M9为45mΩ,STP60N043DM9为43mΩ。由于栅极电荷(Qg)非常低,在400V漏极电压时通常为80nC,两款器件都具有目前市场上一流的RDS(on)maxxQg品质因数(FoM)。

STP65N045M9的栅极阈压(VGS(th))典型值为3.7V,STP60N043DM9 的典型值为4.0V,与上一代的MDmesh M5和M6/DM6相比,可极大程度地降低通断开关损耗。

MDmesh M9和DM9系列的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr)也都非常低,这有助于进一步提高能效和开关性能。


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