NEC晶体管可大幅减少栅极泄露，提高速率
发布时间:2007/9/5 0:00:00 访问次数:262
NEC和NEC Electronics公司近日宣布开发出新款栅层叠(gate stack)结构晶体管产品。这种结构采用了一种基于铪(Hf)的高介电率(high-k)材料和金属栅极，能够大幅抑制栅极电流的泄露，并可提高晶体管的工作速率。
新型栅层叠技术可满足45nm节点低功耗晶体管的需要，并能用于未来LSI器件的开发，并且适合于先进移动终端和数字消费电子等超低功耗产品的开发设计。
该产品以硅镍化合物取代了传统中的多晶硅(poly-Si)作为高k栅极材料，在保持栅极低泄露的条件下，将驱动电流提高了20%。与多晶硅高k栅极和多晶硅/二氧化硅栅极相比，其栅极泄露分别为前两者的1%和1/100,000。
上述新型硅镍化合物栅极技术可通过简单的工艺改变镍硅在合金中的比例，从而实现宽范围的阈值电压(VTH)控制，因此，这种技术可以优化PMOS和NMOS晶体管的开关特性。
（转自 电子工程专辑）
NEC和NEC Electronics公司近日宣布开发出新款栅层叠(gate stack)结构晶体管产品。这种结构采用了一种基于铪(Hf)的高介电率(high-k)材料和金属栅极，能够大幅抑制栅极电流的泄露，并可提高晶体管的工作速率。
新型栅层叠技术可满足45nm节点低功耗晶体管的需要，并能用于未来LSI器件的开发，并且适合于先进移动终端和数字消费电子等超低功耗产品的开发设计。
该产品以硅镍化合物取代了传统中的多晶硅(poly-Si)作为高k栅极材料，在保持栅极低泄露的条件下，将驱动电流提高了20%。与多晶硅高k栅极和多晶硅/二氧化硅栅极相比，其栅极泄露分别为前两者的1%和1/100,000。
上述新型硅镍化合物栅极技术可通过简单的工艺改变镍硅在合金中的比例，从而实现宽范围的阈值电压(VTH)控制，因此，这种技术可以优化PMOS和NMOS晶体管的开关特性。
（转自 电子工程专辑）
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