LM2775-Q1是一种可产生低噪声输出电压的稳压开关电容倍增器。

LM2775-Q1可在3.1-V至5.5-V输入范围内提供高达200mA的输出电流，以及在输入电压低至2.7 V时提供高达125 mA的输出电流。LM2775-Q1提供了一个成本优化的5V、200mA电源，用于为CAN收发器和其他负载供电，由一个调节的3.3V系统导轨供电。

它可以用作不使用宽输入电压预增压或冷起动的汽车系统中的后增压。在低输出电流下，LM2775-Q1可以通过在脉冲频率调制(PFM)模式下工作来降低其静态电流。

与EMR不同，光继电器没有活动器件，并可提供高隔离电压。光继电器是对传统 EMR 的改进;但是，它们也有设计注意事项，例如对可实现的功率传输的限制以及内部LED的老化。

静电放电对敏感元器件的影响,在电子工业过程中从元器件的生产到使用的整个过程都会产生静电。

静电产生后会在其周围形成静电场,产生力学效应、放电效应及静电感应效应等。在上述几点效应中,放电效应造成的危害最为严重。静电放电产生的电压可能高达数千伏,甚至数万伏,对于静电敏感元器件来说,可能几十伏的电压就可以将它击穿。

隔离式SSR可用作开关(带有集成FET)或用于控制外部FET的驱动器。无论是利用电容隔离还是磁隔离，TI的隔离式SSR产品系列都可以实现具有基础型或增强型隔离级别的设计。

与EMR相比，TPSI2140-Q1隔离式开关和TPSI3050-Q1隔离式驱动器具有更高的可靠性和更长的使用寿命，因为它们不会随着时间的推移而出现机械性能变差的情况。

潜伏性损坏也称为软击穿,可造成元器件性能劣化或参数指标下降,但还没有完全损坏,从而形成隐患,在最后质量检测中很难被发现。