3纳米的良率最高仅2成，迫使部分IC 设计大厂选择转单至台积电。

生产3纳米GAA技术来加强技术在产业领先的地位，有望在本季，即未来几周内开始量产。

3纳米制程预计年底量产，2纳米按照进度开发，台积电3纳米使用的是FinFET架构，与三星使用的GAA架构不同，台积电要是在2纳米才转向使用GAA架构。

量产3纳米代表他们将超车台积电，但产品的良率仍是关注焦点，先前有外媒披露，3纳米由于专利IP数量的不足，导致良率仅10至20%左右，这使得客户出现担忧，且三星4纳米的良率虽然有较高的35%良率，但远远不及台积电的7成，使得高通选择转单台积电。

毫米水柱(mmH20);米水柱(mH2o)。

英寸水柱(inH2 0)。

千克力/厘米2(kgf/cm2)。

巴(bar)、鼋巴(mbar)。

标准大气压(atm),标准大气压(atm)是根据北纬45°海平面上15℃时测定的数值。

托(Torr)。

ATMOS 2M30 和ATMOS 2M60 是快速CMOS区域扫描照相机，它们能以8，10或者12比特进行工作，并能提供极好的动态漫游。特殊的CommCam&auml，Atmel提供的软件也能轻易的补偿照相机外形。

另外， ATMOS 2M30和 ATMOS 2M60组成电子快门和照相机Link&reg；当提供有效解决方式时，界面适合那些想要提高数字模式的人。

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