漏极电压波形闪存性能3.0V无线手持设备导电接触良好
发布时间:2022/5/7 13:19:37 访问次数:134
MirrorBit PL-N产品系列可以提供快速分页访问模式操作和同步读写功能，专门为那些需要卓越闪存性能的3.0V无线手持设备平台而设计。这些256 Mb闪存产品可以为现有的多功能手持设备提供存储更多应用代码的能力，从而让它们可以更好地支持高分辨率摄像、视频、MP3音乐、电子邮件、Java应用以及游戏等功能。
PL-N产品系列的工作电压为3V，拥有与其浮动门产品系列相同的高性能特性。这些器件的容量包括128Mb、256Mb以及最高512Mb。可以用在多芯片封装（MCP）上。这两个产品系列在封装和引脚上具有兼容性,从而确保了客户可以无缝地过渡到MirrorBit技术。
MirrorBit PL-N产品系列的成员可以提供分页模式操作，每页的访问时间只需25ns。
准谐振反激式转换器工作期间初级侧MOSFET的漏极电压波形GaN替代硅开关可提高效率 ,用GaN HEMT替代准谐振拓扑结构中的硅MOSFET可以进一步降低初级侧损耗。
仪表在测量过程中必须注意测量时任何一种非接触的显示提示,准确知道什么时候测量读数是正确的。
T477W毫欧表没有连接测量探头,这时毫欧表指示窗数字的小数点将闪亮,造成这种现象的原因一般是在连接电流探头与未知电阻接触不好造成的,这种闪亮现象是为了保证毫欧表的测量准确性而设计的。
由于毫欧表加在未知电阻上的电流很小(0.2A、0.01V),必须将类似涂料油漆或者电镀层打掉或去除,保证导电接触的良好。这时毫欧表的显示数值将稳定。
MirrorBit PL-N产品系列可以提供快速分页访问模式操作和同步读写功能，专门为那些需要卓越闪存性能的3.0V无线手持设备平台而设计。这些256 Mb闪存产品可以为现有的多功能手持设备提供存储更多应用代码的能力，从而让它们可以更好地支持高分辨率摄像、视频、MP3音乐、电子邮件、Java应用以及游戏等功能。
PL-N产品系列的工作电压为3V，拥有与其浮动门产品系列相同的高性能特性。这些器件的容量包括128Mb、256Mb以及最高512Mb。可以用在多芯片封装（MCP）上。这两个产品系列在封装和引脚上具有兼容性,从而确保了客户可以无缝地过渡到MirrorBit技术。
MirrorBit PL-N产品系列的成员可以提供分页模式操作，每页的访问时间只需25ns。
准谐振反激式转换器工作期间初级侧MOSFET的漏极电压波形GaN替代硅开关可提高效率 ,用GaN HEMT替代准谐振拓扑结构中的硅MOSFET可以进一步降低初级侧损耗。
仪表在测量过程中必须注意测量时任何一种非接触的显示提示,准确知道什么时候测量读数是正确的。
T477W毫欧表没有连接测量探头,这时毫欧表指示窗数字的小数点将闪亮,造成这种现象的原因一般是在连接电流探头与未知电阻接触不好造成的,这种闪亮现象是为了保证毫欧表的测量准确性而设计的。
由于毫欧表加在未知电阻上的电流很小(0.2A、0.01V),必须将类似涂料油漆或者电镀层打掉或去除,保证导电接触的良好。这时毫欧表的显示数值将稳定。
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