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带集成IGBT驱动器转换开关拨到交流电压最大量程挡

发布时间:2022/5/7 12:17:10 访问次数:149

用于数码相机的氙闪光灯IC,除了TPS61059转换器之外,数码相机中的氙灯应用推出了带集成IGBT驱动器的新型闪光灯电容充电器——TPS65552A。

与分立器件解决方案相比,该器件仅占用一半的板级空间,而且通过采用优化的PWM控制算法可以快速对50V电容器充电。TPS65552A支持1.8V~12V的输入电压,而编程后可提供0.95A~1.8A的峰值电流。它还提供过热监控、充电与闪光灯启用输入信号、以及充电完成状态输出信号。

负载功率低于100W的AC-DC电源,默认电源拓扑是反激式转换器。这种拓扑结构是隔离式降压-升压型的最简单形式,包括位于电感器两侧的两个功率开关。

不能用手去接触表笔属部一方面可以保证测量的准确,另一方面也可以保证人身安全。

以上的高电压时,尽可能使用只手进行测量。用时,转关电阻挡,因为电阻挡电池连通,耗费电池。测完毕,应将转换开关拨到交流电压最大量程挡,并关闭电源。

毫欧表的工作原理与万用表测量电阻相同,即在被测电阻上通入电流.通过检测电流的大小计算出电阻的数值,只不过毫欧表的测试精度更高,功能更完善。

毫欧表是用于低电阻测量精密仪器,在航空器维护和修理下作中担负着比较重要的角色。

电子的浓度取决于极化的不匹配程度,可以通过调节AlGaN势垒的浓度和厚度来控制,以产生具有很高电子迁移率和很低的导通电阻(芯片面积的函数)的高性能横向晶体管。

“增强模式”器件在AlGaN/GaN材料的结构中建立了栅极控制的势垒。其他器件通过添加级联串联低压MOSFET实现控制。

高压系统的器件,GaN HEMT比硅MOSFET高出的成本更容易接受,因为GaN技术可节省功率并减小尺寸。如今,随着基于GaN的紧凑型USB Type-C充电器的出现,GaN技术也已成为功率低于100W的低成本电源系统的可行选择。  



用于数码相机的氙闪光灯IC,除了TPS61059转换器之外,数码相机中的氙灯应用推出了带集成IGBT驱动器的新型闪光灯电容充电器——TPS65552A。

与分立器件解决方案相比,该器件仅占用一半的板级空间,而且通过采用优化的PWM控制算法可以快速对50V电容器充电。TPS65552A支持1.8V~12V的输入电压,而编程后可提供0.95A~1.8A的峰值电流。它还提供过热监控、充电与闪光灯启用输入信号、以及充电完成状态输出信号。

负载功率低于100W的AC-DC电源,默认电源拓扑是反激式转换器。这种拓扑结构是隔离式降压-升压型的最简单形式,包括位于电感器两侧的两个功率开关。

不能用手去接触表笔属部一方面可以保证测量的准确,另一方面也可以保证人身安全。

以上的高电压时,尽可能使用只手进行测量。用时,转关电阻挡,因为电阻挡电池连通,耗费电池。测完毕,应将转换开关拨到交流电压最大量程挡,并关闭电源。

毫欧表的工作原理与万用表测量电阻相同,即在被测电阻上通入电流.通过检测电流的大小计算出电阻的数值,只不过毫欧表的测试精度更高,功能更完善。

毫欧表是用于低电阻测量精密仪器,在航空器维护和修理下作中担负着比较重要的角色。

电子的浓度取决于极化的不匹配程度,可以通过调节AlGaN势垒的浓度和厚度来控制,以产生具有很高电子迁移率和很低的导通电阻(芯片面积的函数)的高性能横向晶体管。

“增强模式”器件在AlGaN/GaN材料的结构中建立了栅极控制的势垒。其他器件通过添加级联串联低压MOSFET实现控制。

高压系统的器件,GaN HEMT比硅MOSFET高出的成本更容易接受,因为GaN技术可节省功率并减小尺寸。如今,随着基于GaN的紧凑型USB Type-C充电器的出现,GaN技术也已成为功率低于100W的低成本电源系统的可行选择。  



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