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散热片或对PCB上铜垫需求减少使电流消耗降低到不足1μA

发布时间:2022/5/7 12:03:32 访问次数:126

新一代可拍照手机和PDA的高功率白光发光二极管(LED)电源转换芯片。

通过优化TPS61059单体白光LED驱动器能够在单体锂电池的输入电压范围内安全有效地支持800mA的电流强度。该器件基于650kHz固定频率脉宽调幅(PWM)控制器,可以实现80%的最高效率。

为了进一步延长电池使用寿命,TPS61059可以被禁用,并且进入断电模式——该模式可以停止LED供电,同时使电流消耗降低到不足1μA。内置的预充电及软启动电路可以防止在启动期间形成过高电流。另外,TPS61059的断路、短路以及过热保护功能还可以安全地保护LED。

数字式万用表可以直接从液晶屏上读取测量的电阻、电压、电流值,但是需要注意显示屏右侧的测量单位。如果万用表的转换开关上不仅有测试项目的选择而且有量程的变换,测量出的参数数值很小,但单位很大,说明量程选择得过大,需要变换到小量程进行测量。

例如“10V”挡表示该挡只能测量10V以下的电压,“500mA”挡只能测量500mA以下的电流,若是超过量程,就会损坏万用表。

这种集成电路(IC)可帮助提高闪光灯亮度从而获得质量更高图像。

使用GaN HEMT可获得更高的功率效率,从而使电源系统设计人员可以缩小AC-DC功率级:由于产生的废热较少,因此对散热片或对PCB上铜垫的需求减少。这样既节省成本又节省空间。

由于GaN HEMT具有一些出色的物理性能,因此优于硅功率MOSFET。

当将氮化铝镓(AlGaN)堆叠到GaN上时,由于两种材料的极化差异,会在界面处形成自发电荷层。其他物理性质将此电荷限制在三维范围内。因此,在界面处会创建二维电荷面。电子可以在其中自由移动,而无需对半导体材料进行任何掺杂


新一代可拍照手机和PDA的高功率白光发光二极管(LED)电源转换芯片。

通过优化TPS61059单体白光LED驱动器能够在单体锂电池的输入电压范围内安全有效地支持800mA的电流强度。该器件基于650kHz固定频率脉宽调幅(PWM)控制器,可以实现80%的最高效率。

为了进一步延长电池使用寿命,TPS61059可以被禁用,并且进入断电模式——该模式可以停止LED供电,同时使电流消耗降低到不足1μA。内置的预充电及软启动电路可以防止在启动期间形成过高电流。另外,TPS61059的断路、短路以及过热保护功能还可以安全地保护LED。

数字式万用表可以直接从液晶屏上读取测量的电阻、电压、电流值,但是需要注意显示屏右侧的测量单位。如果万用表的转换开关上不仅有测试项目的选择而且有量程的变换,测量出的参数数值很小,但单位很大,说明量程选择得过大,需要变换到小量程进行测量。

例如“10V”挡表示该挡只能测量10V以下的电压,“500mA”挡只能测量500mA以下的电流,若是超过量程,就会损坏万用表。

这种集成电路(IC)可帮助提高闪光灯亮度从而获得质量更高图像。

使用GaN HEMT可获得更高的功率效率,从而使电源系统设计人员可以缩小AC-DC功率级:由于产生的废热较少,因此对散热片或对PCB上铜垫的需求减少。这样既节省成本又节省空间。

由于GaN HEMT具有一些出色的物理性能,因此优于硅功率MOSFET。

当将氮化铝镓(AlGaN)堆叠到GaN上时,由于两种材料的极化差异,会在界面处形成自发电荷层。其他物理性质将此电荷限制在三维范围内。因此,在界面处会创建二维电荷面。电子可以在其中自由移动,而无需对半导体材料进行任何掺杂


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