线性延迟调制功能支持快速和超精度抖动容限及传输测量
发布时间:2022/5/7 12:03:13 访问次数:157
功率密度为20W/in3的60W USB Type-C充电器功率密度最高仅为10W/in3。
支撑这些新型充电器的高功率密度的新技术是氮化镓(GaN)功率晶体管。在新型USB Type-C充电器中,传统的硅MOSFET功率开关被GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)功率开关取代。这证明GaN功率开关技术在性能和成本方面都取得了巨大进步,因此它正在电力系统中更广泛地取代硅MOSFET。
此外,使用GaN HEMT的电源系统中更低的开关损耗使设计工程师可以设法提高开关频率,从而减小磁性元件的尺寸、重量并降低成本。
其它特性还包括:
RZ、R1和NRZ数据格式,具有灵活的参数和快速传输时间,以支持高质量的波形和眼图测量。
码型和排序能力,可使激励信号支持全部范围的数字高速串行总线。
高达1GHz的线性延迟调制,以支持抖动容限测试。
数字式万用表没有机械调零和电气调零旋钮,但在测量电阻前,也应将表笔短接,记录下初始误差值,测量后,将测量值减去初始误差值,才是真实测量值。当数字式万用表显示“BATT”或“LOW BAT”时,表示内部电池电压低于工作电压,这时应更换电池。
模拟式万用表在测量电阻前,还应进行“电气调零”,即将万用表的红表笔和黑表笔短接,使指针向右偏转,调节“电阻调零旋钮”,使指针刚好指在电阻刻度线右边的零位。
由于电压和电流挡的刻度是均匀的,所以大多数的模拟式万用表电压挡和电流挡共用一条刻度线。
功率密度为20W/in3的60W USB Type-C充电器功率密度最高仅为10W/in3。
支撑这些新型充电器的高功率密度的新技术是氮化镓(GaN)功率晶体管。在新型USB Type-C充电器中,传统的硅MOSFET功率开关被GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)功率开关取代。这证明GaN功率开关技术在性能和成本方面都取得了巨大进步,因此它正在电力系统中更广泛地取代硅MOSFET。
此外,使用GaN HEMT的电源系统中更低的开关损耗使设计工程师可以设法提高开关频率,从而减小磁性元件的尺寸、重量并降低成本。
其它特性还包括:
RZ、R1和NRZ数据格式,具有灵活的参数和快速传输时间,以支持高质量的波形和眼图测量。
码型和排序能力,可使激励信号支持全部范围的数字高速串行总线。
高达1GHz的线性延迟调制,以支持抖动容限测试。
数字式万用表没有机械调零和电气调零旋钮,但在测量电阻前,也应将表笔短接,记录下初始误差值,测量后,将测量值减去初始误差值,才是真实测量值。当数字式万用表显示“BATT”或“LOW BAT”时,表示内部电池电压低于工作电压,这时应更换电池。
模拟式万用表在测量电阻前,还应进行“电气调零”,即将万用表的红表笔和黑表笔短接,使指针向右偏转,调节“电阻调零旋钮”,使指针刚好指在电阻刻度线右边的零位。
由于电压和电流挡的刻度是均匀的,所以大多数的模拟式万用表电压挡和电流挡共用一条刻度线。