D1保护LTC4381 VCC引脚的80V绝对最大额定值，而D2保护内部100V MOSFET不受雪崩影响。D1也将输出钳位电压设置到66.5V(56V+10.5V)，以防不使用D2。R1和C1过滤VIN升高和下降。

如果有电容接近LTC4381限制电压尖峰，低于80V，则VCC引脚可以直接连接至VIN。在这种情况下，可以取消使用D1、D2、R1和C1。

10A流过内部MOSFET时,LTC4381的初始压降为90mV,功耗为900mW.在室温环境下.这种功耗会使DC2713A-D评估板上LTC4381封装温度升高到约100°C,达到RDS(ON)的两倍.且使压降升高到180mV。

产品特点

隔离电压5000VAC（满足加强绝缘）

长期绝缘：1700VDC

效率高达87%

超小型SIP封装

最大容性负载2200uF

超小隔离电容3.5pF(typ.)

工作温度范围：-40℃ to +105℃

PCIe 4.0 固态盘系列产品，提供不同的容量选择、多元的外形尺寸和优化的性能。D7-P5520和 D7-P5620针对真实工作负载进行了优化，体现了Solidigm长期以来与领先云计算厂商、OEM厂商以及存储领域创新者等开展深入技术交流所获得的行业洞察。

D7-P5520和D7-P5620正是这些深刻洞察以及数代3D NAND 和PCIe 4.0产品迭代优化的结晶，让我们能够向客户提供一流的产品，并创建固态存储的全新范式。

输入旁路电容可以帮助防止对48V电源产生任何干扰，特别是与其他电路板共享该电源时，例如背板。在后一种情况下，相邻电路板的负载电容也起到与输入旁路电容相同的作用。