产品应用作为IGBT/SiC MOSFET专用驱动电源，在产品应用上与IGBT/SiC MOSFET应用重合，可用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩等多种场合中IGBT/SiC MOSFET器件的驱动；已光伏SVG系统为例，可配合驱动芯片来共同驱动后端的IGBT期间，实现系统的有效运行。

Solidigm的高性能D7系列固态盘（SSDs）再添两款新锐产品：D7-P5520 和 D7-P5620。两款产品均针对现实环境下云计算及企业工作负载进行了深度优化。

面向数据中心和企业级应用的全新固态盘产品D7-P5520和D7-P5620，以进一步扩展其性能优化的D7产品系列。

任务标题包含功能识别号FIN(如适用)

警告/警戒(如适用)

执行本工作的原囚

给出本工作的原因

或参见MMEL任务

或参见CDL任务

或参见MPD任务

工作准各信息部分可提供;

工具信息一专用Jli具

通用工具

消耗材料

lPC/PIPC中消耗零件的章节号

参考其他AMM任务、CMM・TSM等.

47nF的TMR电容,允许TMR在60V启动期间达到1.15V,这非常接近1.215V栅极关断阈值。

选择0.7V峰值TMR目标电压，以从1.215V栅极关断阈值提供足够余量，同时采用以下这些公差：TMR上拉电流±50%(LTC4381数据手册中的ITMR(UP)规格），TMR电容±10%，1.215V TMR栅极关断阈值±3%（VTMR(F)规格）。

LTC4381电流限值与输出电压,最大负载电容使用的TMR电容，以在60 V启动期间将TMR电压升高限制在0.7V左右。