一种SiC沟槽技术，此技术比IGBT具有更高的效能，且相当耐用，例如短路时间仅有2μs或甚至3μs。CoolSiC MOSFET同时也解决了SiC装置固有的一些潜在问题，例如非预期的电容导通。此外，SiC MOSFET采用符合产业标准的TO247-3封装，现在采用的TO247-4封装甚至具有更优异的开关效能。除了这些TO封装，SiC MOSFET也提供Easy 1B和Easy 2B封装。

WE-CMBNC是经VDE认证的共模扼流圈系列，采用高磁导率纳米晶体磁芯材料。尺寸较小，但提供出色的宽带衰减性能，较高的额定电流和较低的直流电阻值。此外，WE-CMB系列的共模扼流圈具有扁平外型和高额定电压。

WE-CMBNC优势

高磁导率纳米晶体磁芯材料

高IR和低RDC,小尺寸

宽频带抑制

在高温条件下，具有稳定的电感值

通过塑料外壳和专利绕组垫片改进绝缘性能.

正确使用仪器仪表,注意安全操作。尤其是在使用示波器时应特别注意:在观测主电路波形时,示波器外壳可能带电,应注意不要触及金属外壳,以防触电。

示波器外壳不要接地,以防观测波形时发生短路。双路示波器Y1、Y2两个探头的接地端都与外壳相连,同时使用两个探头时应注意两个探头的接地线应在同一电位上,以防发生短路。被测电压幅值不能超过示波器允许范围,以防损坏示波器。