低VIN高效10A降压DC/DC μModule稳压器,采用微型4mm × 4mm × 4.32mm LGA封装.

LTM4658采用安静开关器2架构,内部热回路旁路电容在高开关频率是获得低EMI和高效率.器件支持频率同步,多相工作,可选择脉冲跳跃模式工作,输出电压跟踪用于电源轨加序.

开关频率和电流模式架构使得线路和负载变化具有非常快瞬态响应而不会牺牲稳定性.

故障保护特性包括过压,过流和超温保护.主要用在电讯,数据通信和网络系统,光模块和工业设备以及点负载稳压.

存储器集成在2048个16K模块内，每个模块可分为若干个512字节的页，每页又会闲置出16字节，用于页进行读取和编程操作。

这些闲置字节通常用于纠错编码（Error Correction Code）、软件标记或损坏块鉴定。缓存编程模块可使存储在一页中的数据被直接编程进另一页，通常用于从故障块内移出数据。块擦除命令的擦除时间为2ms，每块可进行100,000次编程和擦除操作，数据保持期为10年。

软件工具链支持采用NAND闪存系列产品的设备的快速发展，有助于延长其使用寿命。

操作数使用次数(层数):NO~N7,按由小到大的顺序使用;主控元件号:Y或M(特殊继电器除外)。

MCR一主控复位指令功能,取消临时左母线(返回原位),结束主控电路块。

操作数使用次数(层数):N7~N0,按由大到小的顺序返回,与MC指令相对应。

主控指令应用示例,a)多路输出梯形图 b)采用主控指令的梯形图 c)指令语句表.