全新升级的晶栈2.0(Xtacking® 2.0)技术的TLC 3D闪存颗粒
发布时间:2022/4/19 19:51:01 访问次数:1422
为了使消费者在赏玩高帧率游戏、观看8K高清视频时获得更为流畅的使用体验,长江存储UFS 3.1闪存UC023采用全新升级的晶栈2.0(Xtacking® 2.0)技术的TLC 3D闪存颗粒,设计和工艺得到了进一步的改良优化。作为旗舰级UFS 3.1闪存,UC023还具备如下特点:
解码多项新技术,全面释放UFS 3.1优势:搭载主机碎片化整理技术(HID),优化数据处理操作,节省更多存储空间;引入随机写性能优化机制,写入速度提升至230K IOPS*,实现多个应用自如切换。
出色的性能功耗比,增强用户移动体验:发挥极致读写性能的同时,仍然保证超低功耗运行。在线观看8K高清视频不卡顿,设备待机时间显著增长。

RAM指随机存储器,可随时读写信息,但不具有掉电保持功能,断电后数据将全部丢失,故需要后备电池的支持;EPROM指紫外线擦除只读存储器,可随时读取信息,需专门仪器擦写;E2PROM(EEPROM)可电擦电写,且具有掉电保持功能。
输入单元用来接收外部输人的控制指令、运行状态和运行数据等。
信号类型主要有开关量、数字量和模拟量三种。为提高抗干扰能力,输入接口通常具有光电隔离和电容滤波措施,输入接口CPU通信接口输出接LI电源ROM.
条件控制:实现逻辑运算功能,主要是代替继电一接触器控制电路进行开关量控制。
定时控制:可编程序控制器提供内部定时器,可实现定时控制,定时时间可由编程设定。
计数控制:可编程序控制器提供内部计数器,可实现计数控制,计数值可由编程设定。
步进控制:可采用步进顺控指令编写顺控程序,实现顺控功能。
控制程序可变,通用性强。当生产工艺变化时,不用改变硬件接线,只需改变控制程序。
为了使消费者在赏玩高帧率游戏、观看8K高清视频时获得更为流畅的使用体验,长江存储UFS 3.1闪存UC023采用全新升级的晶栈2.0(Xtacking® 2.0)技术的TLC 3D闪存颗粒,设计和工艺得到了进一步的改良优化。作为旗舰级UFS 3.1闪存,UC023还具备如下特点:
解码多项新技术,全面释放UFS 3.1优势:搭载主机碎片化整理技术(HID),优化数据处理操作,节省更多存储空间;引入随机写性能优化机制,写入速度提升至230K IOPS*,实现多个应用自如切换。
出色的性能功耗比,增强用户移动体验:发挥极致读写性能的同时,仍然保证超低功耗运行。在线观看8K高清视频不卡顿,设备待机时间显著增长。

RAM指随机存储器,可随时读写信息,但不具有掉电保持功能,断电后数据将全部丢失,故需要后备电池的支持;EPROM指紫外线擦除只读存储器,可随时读取信息,需专门仪器擦写;E2PROM(EEPROM)可电擦电写,且具有掉电保持功能。
输入单元用来接收外部输人的控制指令、运行状态和运行数据等。
信号类型主要有开关量、数字量和模拟量三种。为提高抗干扰能力,输入接口通常具有光电隔离和电容滤波措施,输入接口CPU通信接口输出接LI电源ROM.
条件控制:实现逻辑运算功能,主要是代替继电一接触器控制电路进行开关量控制。
定时控制:可编程序控制器提供内部定时器,可实现定时控制,定时时间可由编程设定。
计数控制:可编程序控制器提供内部计数器,可实现计数控制,计数值可由编程设定。
步进控制:可采用步进顺控指令编写顺控程序,实现顺控功能。
控制程序可变,通用性强。当生产工艺变化时,不用改变硬件接线,只需改变控制程序。