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W相电压过零时触发V1有源米勒箝位和有源关断

发布时间:2022/4/12 13:27:03 访问次数:193

EiceDRIVER™增强单路电流隔离栅极驱动器. 采用DSO-16宽体封装具有集成保护特性如短路保护,有源米勒箝位和有源关断,用于IGBT, MOSFET和 SiC MOSFET.

所有逻辑引脚是3.3V和5V CMOS兼容,能直接连接到微控制器.电流隔离层的数据传输由集成的芯变压器(CT)技术来实现.

用于600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V IGBT, Si和SiC MOSFET,高达+6 A / -8.5 A典型峰值输出电流,绝对最大输出电源电压VCC2为40V,高共模瞬变免疫(CMTI)大于300 kV/μs,传输时延典型值为85ns.

根据安装环境的具体状况进行适应性调整.利用数字孪生技术,我们便能在正式安装之前以虚拟方式先对环境进行建模,进而预测将会遭遇的挑战并寻找适合的方式加以解决。

生物圈周围结构的压力点,同时还能掌握日照、温度以及所有其它物理因素之间的各种互相作用会对植物产生怎样的影响,而这一切都源自数字孪生技术能够将我们的系统准确复制。

NX X软件是Xcelerator解决方案组合的进一步扩展,在延续NX™ 软件功能的基础上,通过行业领先的托管合作伙伴交付集中存储能力与本地协作能力。

当α=30°时:当U相电压过零时触发V2(同时Ⅴ1关断);V相电压过零时触发V3(同时Ⅴ2关断);W相电压过零时触发V1(同时V3关断)。此时波形仍然连续,且为临界连续。

当α=60°时:当U相电压过零时V2还没被触发;V相电压过零时Ⅴ3还没被触发;W相电压过零时Ⅴ1还没被触发c此时波形不连续。

当α=150°时:当U相电压过零时触发Ⅴ1;V相电压过零时触发V2;W相电压过零时触发V3。此时因各晶间管已不再承受正向电压,不能被触发导通,故没有输出波形,输出电压为零。


EiceDRIVER™增强单路电流隔离栅极驱动器. 采用DSO-16宽体封装具有集成保护特性如短路保护,有源米勒箝位和有源关断,用于IGBT, MOSFET和 SiC MOSFET.

所有逻辑引脚是3.3V和5V CMOS兼容,能直接连接到微控制器.电流隔离层的数据传输由集成的芯变压器(CT)技术来实现.

用于600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V IGBT, Si和SiC MOSFET,高达+6 A / -8.5 A典型峰值输出电流,绝对最大输出电源电压VCC2为40V,高共模瞬变免疫(CMTI)大于300 kV/μs,传输时延典型值为85ns.

根据安装环境的具体状况进行适应性调整.利用数字孪生技术,我们便能在正式安装之前以虚拟方式先对环境进行建模,进而预测将会遭遇的挑战并寻找适合的方式加以解决。

生物圈周围结构的压力点,同时还能掌握日照、温度以及所有其它物理因素之间的各种互相作用会对植物产生怎样的影响,而这一切都源自数字孪生技术能够将我们的系统准确复制。

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当α=30°时:当U相电压过零时触发V2(同时Ⅴ1关断);V相电压过零时触发V3(同时Ⅴ2关断);W相电压过零时触发V1(同时V3关断)。此时波形仍然连续,且为临界连续。

当α=60°时:当U相电压过零时V2还没被触发;V相电压过零时Ⅴ3还没被触发;W相电压过零时Ⅴ1还没被触发c此时波形不连续。

当α=150°时:当U相电压过零时触发Ⅴ1;V相电压过零时触发V2;W相电压过零时触发V3。此时因各晶间管已不再承受正向电压,不能被触发导通,故没有输出波形,输出电压为零。


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