在逻辑块行间的散置是sysMEM嵌入区块RAM(EBR)的行和sysDSP数字信号处理区块的行.例如, LFCPNX-100器件有三行DSP区块和四行sysMEM EBR区块.

此外, LFCPNX-100器件包括七个大的SRAM区块.FPGA的可编架构包括50k到100k逻辑单元, sysDSP™区块有96-156个乘法器(18x18), 3.8到7.3Mb嵌入存储器(包括EBR和LRAM), 170 - 299可编程sysI/O(高性能和宽范围I/O),用于支持各种类接口的可编程sysI/O.

耐压试验在各绕组对地之问和各绕组与绕组之间,施加频率为50 Hz的正弦交流电压。施加的电压值为:

对1kW以下、额定电压不超过36V的电动机，施加500Ⅴ与2倍额定电压之和大小的电压,历时1min不击穿为合格。对1kW以上、额定电压在36V以上的电动机,施加1000V与2倍额定电压之和大小的电压,历时1 min不击穿为合格。

试验时,应从电压全值的1/2开始,逐渐分段升压。每段升高不超过全压的5%,升至全压的时间不少于10s。在全压的情况下,维持1min,然后降压至全压的1/2,再切断电源。

检查出线是否正确,接线是否与端子的标号一致,电机内部的接线是否有碰触转动的部位。

检查换向器的表面,应平滑、光洁,不得有毛刺、裂纹、裂痕等缺陷。换向片间的云母片不得高出换向器的表面,凹下深度为1~1.5mm。

检查刷握刷握应牢固而精确地固定在刷架上,各刷握之问的距离应相等,刷距偏差不超过1mm。