PowerGaN 路线图中输入电压从650V开始的G-FET、G-DRIVE和G-HEMT产品，在现有的G-HEMT产品中增加100V产品。氮化镓产品组合也会进一步扩大，增加导通电阻不同的晶体管产品，此外还会继续推广MasterGaN系统级封装。

像碳化硅产品一样，氮化镓产品也提供广泛的封装形态，例如QFN等分立封装、可以集成电池的新封装ST LISI等。此外ST也将继续研究嵌入式裸片封装技术，以便进一步提高封装的集成度。

PowerGaN和MasterGaN两个产品组合，PowerGaN主要是分立GaN晶体管，而MasterGaN则是驱动和晶体管组成的系统级封装。除了以上两个电源方面的产品组合外，ST同样也在规划针对移动基站的GaN PA。

ATM33还搭载了受控能量收集技术，包括不同的能量来源，比如光能、射频、热能，以及机械能等。

除此之外，这款产品在系统层面也做了大幅的优化和升级，包括无需MCU感知功能的升级，以及射频信号按需唤醒。

即使在深度睡眠状态下，ATM33也能执行传感器运作支援功能，比如访问内存和传输信标等。

任何人都可以对这些特殊数据包进行预编程，并且可以从任何形式的任何笔记本电脑、接入点或平板电脑发送。

旁路运行软启动器虽然可以降低晶间管的功耗,减少电源谐波污染,但是需要外接旁路接触器,控制电路复杂,成套设各体积也随之扩大,维护成本和难度增加,且启动后,无法对电动机继续保护。

内置旁路型软启动器将外部的接触器移到了软启动器外部集成为一体并能保证体积不增加,对外部接线来讲是一个装置,大大减少了设备的体积,控制电路简化,并在运行过程中也能对电动机进行保护。