减轻变压器重量4nm制程SoC猎户座2200的良率更低
发布时间:2022/3/25 13:12:53 访问次数:690
由于晶圆代工厂交付的数量难以满足代工订单需求,公司对非内存工艺的良率表示怀疑,事实上基于该良率是可以满足订单交付的。
在三星为高通生产的骁龙4nm制程芯片中,良品率仅为35%,并且三星自研的4nm制程SoC猎户座2200的良率更低。以致于高通这样的VIP客户都要出走,重新使用台积电生产骁龙8处理器。
在7nm、5nm及4nm节点上落后了一些,但在接下来的3nm节点三星更激进,要全球首发GAA晶体管工艺(Gate-all-around),放弃FinFET晶体管技术,而台积电的3nm工艺依然会基于FinFET工艺。
在相同的铁芯形状下,提高最大磁通密度,可以减少材料用量,从而减轻重量。但磁通密度的增大,将引起磁噪声的增大和性能的降低。减轻变压器重量的另外一些措施是从绝缘材料、绕组材料(如用铝导线代替铜导线)和加工方法来减轻绕组的重量。
k=√2σsin(ωJ+ui)=ue=y
式中守仅表示对应关系。这种与正弦量相对应的复数量通常称为相量。电压、电流和电动势的相量分别用U、r和E表示。
复数具有代数形式、三角形式、指数形式和极坐标形式,例如:
ui=150√2sin(ωt+36.9°)(V)
写成:y=150e′369°=150∠6,p°=150(cos36.9°+sin36.9°)
= (120+u90) (Ⅴ)
由于晶圆代工厂交付的数量难以满足代工订单需求,公司对非内存工艺的良率表示怀疑,事实上基于该良率是可以满足订单交付的。
在三星为高通生产的骁龙4nm制程芯片中,良品率仅为35%,并且三星自研的4nm制程SoC猎户座2200的良率更低。以致于高通这样的VIP客户都要出走,重新使用台积电生产骁龙8处理器。
在7nm、5nm及4nm节点上落后了一些,但在接下来的3nm节点三星更激进,要全球首发GAA晶体管工艺(Gate-all-around),放弃FinFET晶体管技术,而台积电的3nm工艺依然会基于FinFET工艺。
在相同的铁芯形状下,提高最大磁通密度,可以减少材料用量,从而减轻重量。但磁通密度的增大,将引起磁噪声的增大和性能的降低。减轻变压器重量的另外一些措施是从绝缘材料、绕组材料(如用铝导线代替铜导线)和加工方法来减轻绕组的重量。
k=√2σsin(ωJ+ui)=ue=y
式中守仅表示对应关系。这种与正弦量相对应的复数量通常称为相量。电压、电流和电动势的相量分别用U、r和E表示。
复数具有代数形式、三角形式、指数形式和极坐标形式,例如:
ui=150√2sin(ωt+36.9°)(V)
写成:y=150e′369°=150∠6,p°=150(cos36.9°+sin36.9°)
= (120+u90) (Ⅴ)