欠励磁保护与低电压保护开关应用的电磁辐射和损失能效
发布时间:2022/3/23 17:38:04 访问次数:239
为了节省元件,简化线路,制对象是BTB,而不是GCR,在大多数飞机并联电源系统中,将欠励磁保护与低电压保护合用一个信号放大电路,然后将放大了的信号分别输人不同的延时电路,去控制不同对象的动作。这样,既不会造成误动作,又可以起到不同的保护作用。
励磁保护动作选择性的讨论,如前所述,在多台发电机并联的系统中,当一台发电机产生过(或欠)励磁故障时,其余正常发电机必定会产生欠(或过)励磁现象。
|△ru|为|△rj|的n倍,从而保证了故障保护动作的选择性,使过励发电机系统的保护装置动作。
预驱动IC的主要功能如下:
微控制器(uC)和外部功率MOSFET输出级之间的接口。预驱动器IC在微控制器低压域(通常小于5.5伏)和汽车电池连接系统上的最大40伏之间提供隔离。
为高边级提供门极过驱动,以能使用N沟道MOSFET。
监控和保护外部MOSFET和连接的负载,提高系统的鲁棒性和诊断能力。
为导通和关断曲线提供特定的交流特性,以最小化开关应用的电磁辐射和损失能效。
需要双向电机旋转的应用使用外部MOSFET H桥配置——集成H桥以简化操作。
确保其产品中功能安全(FuSa)的设计,RISC-V技术持续快速发展,并为创新开辟了新领域。我们将透过为生态系统及客户提供专业的开发工具和支持,不断地推动行业变革。
符合ISO 26262标准的健全的设计方法。用户可以透过本解决方案,缩短车用产品严格的认证流程,加快客户的上市时间。
IAR Embedded Workbench® for RISC-V是一个功能完整的开发工具链,包括强大的IAR C/C++ Compiler™编译程序以及综合调试器。
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为导通和关断曲线提供特定的交流特性,以最小化开关应用的电磁辐射和损失能效。
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