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VCCs的直流精度交流性能和驱动能力在应用中

发布时间:2022/3/22 12:26:07 访问次数:1026

燃气涡轮发动机工作期间,外来物被发动机吸人,这些外来物冲击叶片并造成损伤,称为外来物损伤(FOD)。

叶片更换要求换装动量矩相同的叶片,在叶片根部有该数据。转子能够无振动运转,其彼此相对的叶片应产生同样的离心力。离心力取决于3个因素:转子转速、叶片质量和叶片重心离转轴的距离。

在有偶数叶片的压气机上,一个叶片损坏,同时更换对称的两个叶片;

在有奇数叶片的压气机上,一个叶片损坏,同时更换对称的3个叶片,保持转子平衡。如果仍不能平衡,需要用平衡重量校正,见压气机部分。


电压控制型电流源(VCCs)广泛用于医疗器械、工业自动化等众多领域。VCCs的直流精度、交流性能和驱动能力在这些应用中至关重要,增强型 Howland 电流源(EHCS)电路的局限性,利用复合放大器拓扑进行改进,以实现高精度、快速建立的±500mA电流源。

增强型Howland电流源,传统的Howland电流源(HCS)电路,而公式1显示如何计算输出电流。如果R2足够大,输出电流将保持恒定。

虽然较大的R2会降低电路速度与精度,但在反馈路由中插入一个缓冲器,形成一个增强型Howland电流源可以解决这一问题.所有通过R0的电流都流入RL.输出电流由公式2计算。

SiC MOSFET逆变器相比IGBT逆变器可以实现更高的集成度、更小的体积,并且将开关损耗减少80%。据Edoardo Merli分享,采用SiC MOSFET逆变器的电动汽车,在全工作负载的情况下,整体的能效都要比IGBT逆变器好得多。

而且实际汽车的使用过程中,超过95%的工况都是在低负载的情况,这种低负载工况下IGBT逆变器和SiC MOSFET逆变器的能效比相差了3~4个百分点。

将光子应用于经典计算以及量子信息处理,需要高密度的芯片级集成,从而使每单位芯片面积都拥有日益复杂的光学功能。从这个角度而言,诸如顶层硅均匀性、表面平整度、局部缺陷、晶圆形状等几何参数都需要遵循这些需求。


燃气涡轮发动机工作期间,外来物被发动机吸人,这些外来物冲击叶片并造成损伤,称为外来物损伤(FOD)。

叶片更换要求换装动量矩相同的叶片,在叶片根部有该数据。转子能够无振动运转,其彼此相对的叶片应产生同样的离心力。离心力取决于3个因素:转子转速、叶片质量和叶片重心离转轴的距离。

在有偶数叶片的压气机上,一个叶片损坏,同时更换对称的两个叶片;

在有奇数叶片的压气机上,一个叶片损坏,同时更换对称的3个叶片,保持转子平衡。如果仍不能平衡,需要用平衡重量校正,见压气机部分。


电压控制型电流源(VCCs)广泛用于医疗器械、工业自动化等众多领域。VCCs的直流精度、交流性能和驱动能力在这些应用中至关重要,增强型 Howland 电流源(EHCS)电路的局限性,利用复合放大器拓扑进行改进,以实现高精度、快速建立的±500mA电流源。

增强型Howland电流源,传统的Howland电流源(HCS)电路,而公式1显示如何计算输出电流。如果R2足够大,输出电流将保持恒定。

虽然较大的R2会降低电路速度与精度,但在反馈路由中插入一个缓冲器,形成一个增强型Howland电流源可以解决这一问题.所有通过R0的电流都流入RL.输出电流由公式2计算。

SiC MOSFET逆变器相比IGBT逆变器可以实现更高的集成度、更小的体积,并且将开关损耗减少80%。据Edoardo Merli分享,采用SiC MOSFET逆变器的电动汽车,在全工作负载的情况下,整体的能效都要比IGBT逆变器好得多。

而且实际汽车的使用过程中,超过95%的工况都是在低负载的情况,这种低负载工况下IGBT逆变器和SiC MOSFET逆变器的能效比相差了3~4个百分点。

将光子应用于经典计算以及量子信息处理,需要高密度的芯片级集成,从而使每单位芯片面积都拥有日益复杂的光学功能。从这个角度而言,诸如顶层硅均匀性、表面平整度、局部缺陷、晶圆形状等几何参数都需要遵循这些需求。


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