全新的PCM120T系列屏蔽型SMT功率电感器。 PCM电感器专门经过优化，非常适合高饱和电流和低直流电阻的应用。

其中PCM120T系列可提供介于0.4μH至10μH的14种电感值，饱和电流最大可达80A，具体视电感值L而定。新元件具有诸多特点和优势，比如：采用金属合金磁芯以获得优异的饱和特性；采用扁平绕组结构最大限度降低损耗，具有0.72mΩ (0.4 μH) 至 9mΩ (10μH) 的低电阻值 (RDC)；外壳采用屏蔽的密封磁芯,无外部气隙，电感周围具有非常出色的EMC性能；引线框架结构，非常适合自动焊点AOI检测，并且实现了<0.1mm的共面性；

绝缘性能良好的金属合金磁芯，可承受高压脉冲（满足ISO7636标准）。

与传统的硅基器件相比，GaN和SiC的工作电压更高、开关速度更快、导通电阻更低，因此在能效方面可以做到超越。

虽然都是宽禁带器件，但GaN和SiC的器件特性也有着明显的差异，其中SiC的工作电压要比GaN高得多，因此更适用于高压的应用中，譬如汽车和工业等大功率系统设备中；而GaN的开关频率要更快，因此更适合快充、射频开关等应用领域，例如一些小型化的电源适配器等、射频开关等。

借助SiC和GaN这类宽禁带器件，可以在传统拓扑上实现更简单和高效的设计，从而实现系统层面上整体的成本降低，实现小型化和轻量化。

以支持NVIDIA新芯片的大规模CoWoS封装。

NVIDIA新一代计算芯片,基于新的Hopper架构,也是第一款基于多芯片模块设计(MCM)的GPU,将采用台积电5nm工艺制造和CoWoS先进封装,支持HBM2e内存和其他连接特性。

Blackwell架构的下一代HPC芯片，可能会采用台积电HPC专用的N4X工艺节点进行试生产的，但仍有待观察，AMD也采用了CoWoS技术封装其大部分HPC和服务器芯片，同时将其部分产品通过日月光的FOEB 2.5D IC解决方案进行封装，以降低成本。