5纳米时代的全新封装架构采用碳化硅MOSFET比较划算
发布时间:2022/3/13 11:15:07 访问次数:953
两款符合AEC-Q100标准、额定电压1700V的汽车级开关电源IC,旨在增强系统可靠性,并缓解元器件采购所面临的挑战。
电力电子器件的发展历史大致可分为三个阶段,即硅晶闸管(可控硅)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管),以及近几年刚刚显露头角的碳化硅(SiC)系列大功率半导体器件。
虽然SiC材料价格成本偏高,但其对提高效率和续航里程,以及对增强系统可靠性等方面,均有着明显的优势。因此从这个角度来看,采用碳化硅MOSFET还是比较划算的。
除此之外,我们把母线电压提高到1000V以上之后,也可以加快电动汽车的充电速度。
变压器B1原、副边的电压波形,变压器B1原边跨接在电网与待并联发电机之间,所以变压器原边的电压是两电压瞬时值的差值△况,下面先讨论△仍的波形。
设待并联发电机的电压为“g,频率为尼;已投人电网的发电机电压为uc,频率为正,并设它们的初相角均为零,则其电压瞬时值为:
zg= Jg-sinωgt
uc=L△sinωct
至于M1 Max的跑分,这种时候用别人的成绩多没意思,小编果断地掏出了自己的小本本跑了一波。可以看出,两者的单核性能基本持平,M1 Ultra的多核性能虽然不到2倍,不过也差得不多。
扩展性能最常见的方法是通过主板连接两个芯片,这通常会带来明显的短处,包括延迟增加、带宽减少和能耗上跳,对于这个5纳米时代的全新封装架构,苹果命名为UltraFusion。
两款符合AEC-Q100标准、额定电压1700V的汽车级开关电源IC,旨在增强系统可靠性,并缓解元器件采购所面临的挑战。
电力电子器件的发展历史大致可分为三个阶段,即硅晶闸管(可控硅)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管),以及近几年刚刚显露头角的碳化硅(SiC)系列大功率半导体器件。
虽然SiC材料价格成本偏高,但其对提高效率和续航里程,以及对增强系统可靠性等方面,均有着明显的优势。因此从这个角度来看,采用碳化硅MOSFET还是比较划算的。
除此之外,我们把母线电压提高到1000V以上之后,也可以加快电动汽车的充电速度。
变压器B1原、副边的电压波形,变压器B1原边跨接在电网与待并联发电机之间,所以变压器原边的电压是两电压瞬时值的差值△况,下面先讨论△仍的波形。
设待并联发电机的电压为“g,频率为尼;已投人电网的发电机电压为uc,频率为正,并设它们的初相角均为零,则其电压瞬时值为:
zg= Jg-sinωgt
uc=L△sinωct
至于M1 Max的跑分,这种时候用别人的成绩多没意思,小编果断地掏出了自己的小本本跑了一波。可以看出,两者的单核性能基本持平,M1 Ultra的多核性能虽然不到2倍,不过也差得不多。
扩展性能最常见的方法是通过主板连接两个芯片,这通常会带来明显的短处,包括延迟增加、带宽减少和能耗上跳,对于这个5纳米时代的全新封装架构,苹果命名为UltraFusion。