高功率及高频率特性的宽带隙（Wide Band Gap，WBG）半导体，包含碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），主要应用多为电动汽车、快充市场。

在各大衬底供应商的开发下，包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等厂商陆续扩增产能，并将在2022年下半年量产8英寸衬底,预计第三代功率半导体未来几年产值仍有增长空间。

据集邦咨询研究测算，第三代功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，成长至2025年的47.1亿美元，年复合增长率达48%。

保险丝外形尺寸为0603，额定电压达63V，分断能力为50A，工作温度范围-55 °C至+125 °C。

保险丝符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，适合自动SMD组装系统加工，以及波峰焊、回流焊或气相自动焊接。

这些功能使多层扫描仪能够满足广泛应用中最重要的需求。

NCP51705主要用来驱动SiC MOSFET晶体管,为了获得最低可能导通损耗,驱动器能向SiC MOSFET器件提供最大可用栅极电压.

NCP1680是临界导通模式功率因数校正(CRM)PFC控制器,设计用于无桥图腾柱拓扑. 无桥图腾柱PFC是功率因素架构,包括在PWM开关频率驱动的快速开关腿和工作在AC线路频率的第二个腿.这种拓扑不需要在通常PFC电路输入所存在的二极管桥,允许功率级效率有明显的改进.

器件能阻止通过LIN回馈电流到电源输入端.器件还包括欠压检测,温度关断保护和接地丢失保护.器件的工作电压为4V到48V.典型无功电流均衡线路原理至均衡控制线路,将上述线路中的无功电流均衡环重画于电流互感器CT1、CT2的变比.