超级硅MOSFET,东微半导体宣称因其独创的器件结构与优化的制造工艺，使得产品拥有高速开关及低动态损耗的特性,在硅基制造工艺上进一步提升了器件的开关速度，使得在主流快速充电器应用中能获得接近氮化镓功率模块的效率和功率密度,但生产成本更低,仅为同效率氮化镓器件的20%，堪称一绝。

预计后续产品经过市场验证后会逐渐放量成为消费领域的第二增长曲线。

基于这些核心技术，使得东微半导体IGBT产品在各项参数上与一些国际大厂相接近甚至略有优势。因此，东微的Tri-gate结构IGBT器件在设计及工艺技术水平上处于国际先进水平。

T-301型钳形电流表外形,结构和使用方法外形,使用方法,内部结构示意.钳形电流表使用注意事项,被测线路电压不得超过钳形电流表所规定的使用电压,以防止绝缘击穿,导致触电事故的发生。

若不清楚被测电流大小,应由大到小逐级选择合适挡位进行测量,不能用小量程挡测量大电流。

实现载流子浓度的大幅增强以及电场调制耐压的提高，形成高功率密度、低开关损耗、高可靠性及自保护等特点，自主研发的SFGMOS产品也持续进行研发和技术升级，对应的器件性能逐渐提升到了国内领先水平。

指针轴固定点流体进口弹簧管(波登管)压力表,压力电测方法使用晶体振荡器,它应用某些晶体(石英晶体、压电陶瓷),受力后表面产生电荷的压电效应,测量频率反映压力高低。

测量线速度时,应使用转轮测试头。测量的数值按以下公式计算:

ω=Cu(m/min)

式中 ω―线速度;

C一滚轮的周长;

u―每分钟转速。