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驱动BLDC电机相当复杂容量达到1Mibit芯片解决方案

发布时间:2022/2/28 13:10:26 访问次数:381

单晶硅锭横向切割成圆形的单个硅片,就得到了单晶硅片,这也就是我们常说的用来制造芯片的晶圆(Wafer)。单晶硅在电学性质和力学性质等方面的表现都要比多晶硅更好一些,所以半导体制造都是以单晶硅为基本材料。

BLDC电机通过三相线驱动,产生磁场,磁场再推动永久磁铁,使定子移动并转动电机。

理论上,这听起来很容易,但实际上,驱动BLDC电机相当复杂,开发人员只能选择使用软件框架来驱动电机,或者选择专用芯片解决方案。

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兼容Windows和Linux (包括 SocketCAN)

兼容 J1939, CANopen, NMEA 2000®和DeviceNet

完全兼容通过Kvaser CANlib为其他Kvaser CAN硬件编写的应用程序。

Kvaser U100为终端用户带来极大价值,具备更宽的工作温度范围和CAN-FD兼容性,而且又显著降低了成本,是坚固耐用型CAN FD的性价比之选。

eNVM的主流技术包括嵌入式闪存(eFlash)、一次可编程(OTP)NVM和多次可编程(MTP)NVM。eFlash是业界应用最广泛的嵌入式非易失性存储技术,其性能优越、可靠性高、存储单元面积小。但该技术工艺兼容性差,需要在逻辑工艺的集成上增加额外的掩模板和工艺步骤,晶圆成本高、开发周期长。

MTP eNVM则兼具eFlash的灵活性、 高性能和OTP的工艺高兼容性。其重复擦写次数可以达到104次以上, 容量也可以达到1Mibit。在现今的eNVM市场中,MTP存储器的市场占有份额每年增长超过30%, 这意味着MTP技术已经得到市场越来越来广泛的认可,并得到了越来越多的应用。

单晶硅锭横向切割成圆形的单个硅片,就得到了单晶硅片,这也就是我们常说的用来制造芯片的晶圆(Wafer)。单晶硅在电学性质和力学性质等方面的表现都要比多晶硅更好一些,所以半导体制造都是以单晶硅为基本材料。

BLDC电机通过三相线驱动,产生磁场,磁场再推动永久磁铁,使定子移动并转动电机。

理论上,这听起来很容易,但实际上,驱动BLDC电机相当复杂,开发人员只能选择使用软件框架来驱动电机,或者选择专用芯片解决方案。

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Kvaser U100为终端用户带来极大价值,具备更宽的工作温度范围和CAN-FD兼容性,而且又显著降低了成本,是坚固耐用型CAN FD的性价比之选。

eNVM的主流技术包括嵌入式闪存(eFlash)、一次可编程(OTP)NVM和多次可编程(MTP)NVM。eFlash是业界应用最广泛的嵌入式非易失性存储技术,其性能优越、可靠性高、存储单元面积小。但该技术工艺兼容性差,需要在逻辑工艺的集成上增加额外的掩模板和工艺步骤,晶圆成本高、开发周期长。

MTP eNVM则兼具eFlash的灵活性、 高性能和OTP的工艺高兼容性。其重复擦写次数可以达到104次以上, 容量也可以达到1Mibit。在现今的eNVM市场中,MTP存储器的市场占有份额每年增长超过30%, 这意味着MTP技术已经得到市场越来越来广泛的认可,并得到了越来越多的应用。

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