三星UMCP以极低的功耗提供极快的速度和大存储容量
发布时间:2022/2/26 19:00:09 访问次数:617
三星最新的移动DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)和NAND接口,比起上一代产品,三星uMCP能以极低的功耗,提供极快的速度和大存储容量。
这一产品组合,能让更多的消费者在中端设备上,体验众多的5G应用;而以往这些应用只能在高端旗舰机型上使用,诸如高阶摄影、图形密集型游戏和增强现实(AR)。
与之前基于LPDDR4X的UFS2.2的解决方案相比,全新uMCP的DRAM性能提升50%以上,从17GB/s提升到25GB/s;NAND闪存性能翻倍,从1.5GB/s提升至3GB/s,从而打造旗舰性能。
模块分为高核心数(HCC)和低核心数(LCC)版本,对应不同型号的英特尔至强D处理器:
conga-HPC/sILH COM-HPC Server 尺寸E模块将配备5个不同的英特尔至强D-2700处理器,其核心数可在4-20之间选择。
8个DIMM插槽,最多可安装1TB的2933 MT/s高速DDR4内存 (有ECC功能);32个PCIe Gen 4和16个PCIe Gen 3通道且速率达100GbE、具备实时功能、支持TSN和TCC的2.5 Gb以太网卡。处理器的基础功率在65到118W之间。
为确保快速网络通信,它们具有100GbE速率和支持TSN/TCC的2.5Gb以太网卡。处理器的基础功率在40到67W之间。
上述两款模块均具有16个PCIe Gen 4和16个 PCIe Gen3通道。
监控型EEC的许多特点应用在FADEC之中。此外,在发动机控制方面,FADEC的功能包括输出参数(推力或功率)控制,燃油(包括启动、加速、减速、稳态的)流量控制,压气机可调静子叶片(ⅤsⅤ)和可调放气活门(ⅤBⅤ)控制,涡轮间隙主动控制(ACC)。
三星最新的移动DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)和NAND接口,比起上一代产品,三星uMCP能以极低的功耗,提供极快的速度和大存储容量。
这一产品组合,能让更多的消费者在中端设备上,体验众多的5G应用;而以往这些应用只能在高端旗舰机型上使用,诸如高阶摄影、图形密集型游戏和增强现实(AR)。
与之前基于LPDDR4X的UFS2.2的解决方案相比,全新uMCP的DRAM性能提升50%以上,从17GB/s提升到25GB/s;NAND闪存性能翻倍,从1.5GB/s提升至3GB/s,从而打造旗舰性能。
模块分为高核心数(HCC)和低核心数(LCC)版本,对应不同型号的英特尔至强D处理器:
conga-HPC/sILH COM-HPC Server 尺寸E模块将配备5个不同的英特尔至强D-2700处理器,其核心数可在4-20之间选择。
8个DIMM插槽,最多可安装1TB的2933 MT/s高速DDR4内存 (有ECC功能);32个PCIe Gen 4和16个PCIe Gen 3通道且速率达100GbE、具备实时功能、支持TSN和TCC的2.5 Gb以太网卡。处理器的基础功率在65到118W之间。
为确保快速网络通信,它们具有100GbE速率和支持TSN/TCC的2.5Gb以太网卡。处理器的基础功率在40到67W之间。
上述两款模块均具有16个PCIe Gen 4和16个 PCIe Gen3通道。
监控型EEC的许多特点应用在FADEC之中。此外,在发动机控制方面,FADEC的功能包括输出参数(推力或功率)控制,燃油(包括启动、加速、减速、稳态的)流量控制,压气机可调静子叶片(ⅤsⅤ)和可调放气活门(ⅤBⅤ)控制,涡轮间隙主动控制(ACC)。