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离心力和时间的函数高精度和极低的噪声及电流消耗

发布时间:2022/2/18 18:00:53 访问次数:286

在MEMS芯片领域,通过“愚公移山”的创新精神,中国必将诞生出优秀的MEMS芯片企业,不断在MEMS芯片各细分领域取得技术突破,获得核心知识产权,并且面向全球市场成功推出得到广泛认可的高性能MEMS芯片产品,积极参与国际化竞争,与世界共舞。

其具有高精度和极低的噪声及电流消耗,这有助于延长电池供电产品的使用时间。

传感器采用午芯高科完全拥有自主核心知识产权的创新型“电容式”MEMS芯片,造就了WXP380在很大温度范围以及急剧的温度变化时也能实现高精度测量,并且性能又非常稳定.

可提高强度,允许更高涡轮工作叶片超过一定工作期间,片在长期的作用下,特别是材的温度口伸长,这种却多向流动这类变形当载荷去掉以后不能回到原始形状。蠕变是离心力和时间的函数。

工作叶片材料采用铸造镍基合金,它具有更好的抗蠕变和疲劳特性。


当M侧的断路器由本侧的母差保护跳开后,TJR接点动作,M侧保护装置远跳功能开入点变为高电平,立即向N侧发远跳信号。N侧保护接收到该信号后 ,经由"保护启动"作为就地判据 ,驱动TA、TB、TC、T0、TR出口跳闸继电器。

改造时 ,需要对保护装置的功能开入压板进行重新规划和接线 ,要注意区分DC24V和DC220V的工作范围,避免误接线,造成装置损坏:对于信号启动开关站故障录波和信号上送开关站LCU,需要对更改后的信号名称进行重新定义。

有两段系统,M侧的CT变比为750/5,N侧的CT变比为300/5,需将N侧的CT变比临时整定为750/5(试验后改回)。若M侧三相A、B、C分别加入3A、4A、5A ,则N侧三相 A、B、C分别显示为3A、4A、5A:反之 ,若N侧三相A、B、C 分别加入3 A 、4A 、5A ,则M侧三相A 、B 、C分别显示为3A 、4A 、5A 。





在MEMS芯片领域,通过“愚公移山”的创新精神,中国必将诞生出优秀的MEMS芯片企业,不断在MEMS芯片各细分领域取得技术突破,获得核心知识产权,并且面向全球市场成功推出得到广泛认可的高性能MEMS芯片产品,积极参与国际化竞争,与世界共舞。

其具有高精度和极低的噪声及电流消耗,这有助于延长电池供电产品的使用时间。

传感器采用午芯高科完全拥有自主核心知识产权的创新型“电容式”MEMS芯片,造就了WXP380在很大温度范围以及急剧的温度变化时也能实现高精度测量,并且性能又非常稳定.

可提高强度,允许更高涡轮工作叶片超过一定工作期间,片在长期的作用下,特别是材的温度口伸长,这种却多向流动这类变形当载荷去掉以后不能回到原始形状。蠕变是离心力和时间的函数。

工作叶片材料采用铸造镍基合金,它具有更好的抗蠕变和疲劳特性。


当M侧的断路器由本侧的母差保护跳开后,TJR接点动作,M侧保护装置远跳功能开入点变为高电平,立即向N侧发远跳信号。N侧保护接收到该信号后 ,经由"保护启动"作为就地判据 ,驱动TA、TB、TC、T0、TR出口跳闸继电器。

改造时 ,需要对保护装置的功能开入压板进行重新规划和接线 ,要注意区分DC24V和DC220V的工作范围,避免误接线,造成装置损坏:对于信号启动开关站故障录波和信号上送开关站LCU,需要对更改后的信号名称进行重新定义。

有两段系统,M侧的CT变比为750/5,N侧的CT变比为300/5,需将N侧的CT变比临时整定为750/5(试验后改回)。若M侧三相A、B、C分别加入3A、4A、5A ,则N侧三相 A、B、C分别显示为3A、4A、5A:反之 ,若N侧三相A、B、C 分别加入3 A 、4A 、5A ,则M侧三相A 、B 、C分别显示为3A 、4A 、5A 。





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