传感器的敏感元件由基底、绝缘膜、合金膜、保护膜组成。基底可传递并感应外界压力，将压力量转换为应变量。绝缘膜、合金膜和保护膜依次从下往上镀制在基底材料上，绝缘膜为SiO2材料，具有良好的绝缘特性，用于隔离基底和合金膜。

合金膜为金属材料，通过离子测控溅射技术镀制成特定的应变丝栅图形。

应变丝栅由2个主栅电阻和2个辅栅电阻组成，形成1个惠斯通电桥。基底的应变传递至合金膜后，应变丝栅会产生变形，从而引起惠斯通电桥输出发生改变。

电感性负载在交流电路中存在一个功率因数因素，故计算时得考虑它的存在，一般取值为0.75~0.85。即三相交流电路中的电功率P=3UxIxcosφ=√3ULILcosφ。Ux为相电压，Ix为相电流，UL为线电压，IL为线电流，cosφ为每相的功率因数。单相、三相交流电路电功率计算公式。

计算三相不对称电路中的电功率请看表中的公式即可。

三相视在功率计算公式功率分三种功率，有功功率P、无功功率Q和视在功率S。

电压与电流之间的相位差(Φ)的余弦叫做功率因数，用符号cosΦ表示，在数值上，功率因数是有功功率和视在功率的比值.

导体存储器是一种能存储大量二进制信息的半导体器件，半导体存储器种类很多，一般按功能来分，可以分为只读存储器(ROM)和随机存储器(RAM)。

只读存储器主要分为掩膜存储器、可编程存储器（PROM）、电可擦写可编程存储器（EEPROM）和Flash等等。

为了重复利用，这代产品首先研究了第一代通过紫外线擦除的EPROM产品。这代产品是将电荷通过浮栅雪崩注入MOS管（FAMOS）、或者叠栅雪崩注入MOS管（SIMOS），通过雪崩效应编程。这种产品擦出复杂，而且擦写速度很慢。