12Gbit/s多显示器输出电压达到并保持在零刻度/中刻度
发布时间:2022/2/16 22:39:52 访问次数:933
功率MOSFET采用PQFN 封装,尺寸为3.3 x 3.3 mm2,支持从25 V到100 V的宽电压范围。
此种封装可实现更高的效率、更高的功率密度以及业内领先的热性能指标,并降低BOM成本,在功率MOSFET的性能方面树立了新的行业标杆。该器件的应用领域十分广泛,涵盖电机驱动,适用于服务器、电信和OR-ing的SMPS,以及电池管理系统等。
与传统的漏极底置(Drain-Down)封装相比,最新的源极底置封装技术能够让器件的外形尺寸接近于裸芯片。此外,这种创新封装技术还能降低损耗,进一步增强器件的整体性能。
骁龙750G集成最新第五代Qualcomm®人工智能引擎AI Engine,能够通过直观交互赋能智能照片和视频的拍摄、语音翻译、先进的AI成像以及通过AI增强的游戏体验。Qualcomm AI Engine可实现高达每秒4万亿次运算(4TOPS),与骁龙730G相比,AI性能提升高达20%.无论背景噪声中包含施工,儿童哭闹声或犬吠,骁龙750G集成的Qualcomm Technologies基于AI的音频和语音通信套件,都能让用户获得清晰的语音通信。
最新的APIX3可以建立带宽高达12Gbit/s的多显示器连接,并支持高清和超高清显示器。
这些器件支持各种电磁兼容操作模式,单通道模式下固定带宽为1.5、3或6 Gbps,双通道模式下固定带宽为3、6或12 Gbps,固定反向通道为187.5 Mbps。
APIX3系列的新设备是为汽车广泛采用的显示器规格(例如,2880 x 1080 x 24bit,60Hz)设计的。尽管是为车辆设计,但成像效果十分优秀:视频分辨率最高可达超高清(UHD),色彩深度最高可达30bit。集成电路还支持DSC压缩视频数据的传输。
功率MOSFET采用PQFN 封装,尺寸为3.3 x 3.3 mm2,支持从25 V到100 V的宽电压范围。
此种封装可实现更高的效率、更高的功率密度以及业内领先的热性能指标,并降低BOM成本,在功率MOSFET的性能方面树立了新的行业标杆。该器件的应用领域十分广泛,涵盖电机驱动,适用于服务器、电信和OR-ing的SMPS,以及电池管理系统等。
与传统的漏极底置(Drain-Down)封装相比,最新的源极底置封装技术能够让器件的外形尺寸接近于裸芯片。此外,这种创新封装技术还能降低损耗,进一步增强器件的整体性能。
骁龙750G集成最新第五代Qualcomm®人工智能引擎AI Engine,能够通过直观交互赋能智能照片和视频的拍摄、语音翻译、先进的AI成像以及通过AI增强的游戏体验。Qualcomm AI Engine可实现高达每秒4万亿次运算(4TOPS),与骁龙730G相比,AI性能提升高达20%.无论背景噪声中包含施工,儿童哭闹声或犬吠,骁龙750G集成的Qualcomm Technologies基于AI的音频和语音通信套件,都能让用户获得清晰的语音通信。
最新的APIX3可以建立带宽高达12Gbit/s的多显示器连接,并支持高清和超高清显示器。
这些器件支持各种电磁兼容操作模式,单通道模式下固定带宽为1.5、3或6 Gbps,双通道模式下固定带宽为3、6或12 Gbps,固定反向通道为187.5 Mbps。
APIX3系列的新设备是为汽车广泛采用的显示器规格(例如,2880 x 1080 x 24bit,60Hz)设计的。尽管是为车辆设计,但成像效果十分优秀:视频分辨率最高可达超高清(UHD),色彩深度最高可达30bit。集成电路还支持DSC压缩视频数据的传输。