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EUV光掩模坯在8GB RAM板上对其进行缓冲

发布时间:2022/2/8 22:37:15 访问次数:84

EUV光掩模坯是一种在低膨胀率玻璃基板的表面形成的多层薄膜。

EUV Photomask(光掩模)是在EUV光掩模坯的表面形成的半导体芯片的原版线路,然后再将线路转移到硅晶圆上,形成半导体芯片。

随着半导体线路的微缩化发展,针对EUV光掩模坯的以下要求水准愈来愈高。

将极小尺寸的缺陷降低至近乎为零。

极其高的平整度。

额定输出容量值高的逆变器可带更多的用电负载,但当逆变器的负载不是纯阻性时,也就是输出功率小于1时,逆变器的负载能力将小于所给出的额定输出容量值。

通常情况下,KW级以下逆变器的效率为80%-85%,10KW级逆变器的效率应为85%-90%,逆变器效率高低对光伏发电系统提高有效发电量和降低发电成本有重要影响。

过电压、过电流及短路保护是保证逆变器安全运行的最基本措施,功能完美的正弦波逆变器还具有欠电压保护、缺相保护及过温报警等功能。

PCI-Express数据采集板系列在400MSPS速度内具有14位分辨率,在500MSPS速度时具有12位分辨率,允许连续全速采集到主机存储器或板上8GB RAM。

这些ADC电路板安装在任何PCI-Express x16或x8插槽时,可以连续采集宽带数据,并用板上的Virtex-5 FPGA对其进行处理,在8GB RAM板上对其进行缓冲,并且不断传输数据到主机系统RAM,以便即时使用、图形显示或存储。

TTL选择性的录音输入允许采集能动态停止和启动,通过存储所需数据,从而有效地增加存储器深度,以便应用在雷达、突发通信和脉冲光谱中。

(素材来源:转载自网络,如涉版权请联系删除,特别感谢)



EUV光掩模坯是一种在低膨胀率玻璃基板的表面形成的多层薄膜。

EUV Photomask(光掩模)是在EUV光掩模坯的表面形成的半导体芯片的原版线路,然后再将线路转移到硅晶圆上,形成半导体芯片。

随着半导体线路的微缩化发展,针对EUV光掩模坯的以下要求水准愈来愈高。

将极小尺寸的缺陷降低至近乎为零。

极其高的平整度。

额定输出容量值高的逆变器可带更多的用电负载,但当逆变器的负载不是纯阻性时,也就是输出功率小于1时,逆变器的负载能力将小于所给出的额定输出容量值。

通常情况下,KW级以下逆变器的效率为80%-85%,10KW级逆变器的效率应为85%-90%,逆变器效率高低对光伏发电系统提高有效发电量和降低发电成本有重要影响。

过电压、过电流及短路保护是保证逆变器安全运行的最基本措施,功能完美的正弦波逆变器还具有欠电压保护、缺相保护及过温报警等功能。

PCI-Express数据采集板系列在400MSPS速度内具有14位分辨率,在500MSPS速度时具有12位分辨率,允许连续全速采集到主机存储器或板上8GB RAM。

这些ADC电路板安装在任何PCI-Express x16或x8插槽时,可以连续采集宽带数据,并用板上的Virtex-5 FPGA对其进行处理,在8GB RAM板上对其进行缓冲,并且不断传输数据到主机系统RAM,以便即时使用、图形显示或存储。

TTL选择性的录音输入允许采集能动态停止和启动,通过存储所需数据,从而有效地增加存储器深度,以便应用在雷达、突发通信和脉冲光谱中。

(素材来源:转载自网络,如涉版权请联系删除,特别感谢)



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