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处理器集成在DRAM内存芯片PoE以太网交换机或集线器

发布时间:2022/2/8 12:57:23 访问次数:85

RFVC1800宽带压控振荡器(VCO)是集成了谐振器和缓冲放大器的单片IC。

该款器件偏置电路的工作电压为+5-V单一电源,频率控制调谐电压为0至+13-V。该款器件符合RoHS标准,采用小型4-mmx4-mm QFN封装,有低相位噪声和低功耗。

8-GHz至12-GHz RFVC1800宽带VCO采用公司的砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)工艺制造,主要用在雷达、军事通信、卫星通信、测试仪器和工业/医疗应用中。

该款器件的工作温度范围为-40°C至 +85°C。

这一技术最早可追溯至20世纪60年代,斯坦福研究所的Kautz等人于1969年提出了存算一体计算机概念,后续研究主要围绕芯片电路、计算架构、操作系统、系统应用等层面展开,如加州大学伯克利分校Patterson等人成功把处理器集成在DRAM内存芯片当中,实现智能存算一体的计算架构。

但受限于芯片设计复杂度与制造成本问题,以及缺少大数据应用驱动,早期的存算一体仅停留在研究阶段,并得益于整体架构的创新,达摩院存算一体芯片同时实现了高性能和低系统功耗。

在实际推荐系统应用中,相比传统CPU计算系统,存算一体芯片的性能提升10倍以上,能效提升超过300倍。未得到实际应用。

全新的符合以太网供电标准的单片电涌保护器件,可以抑制包括静电放电(ESD)在内的高压电涌,有助于简化以太网供电设备的设计.意法半导体的PEP01-5841保护芯片用于保护电源设备(PSE),例如通过以太网电缆提供48V电压的PoE以太网交换机或集线器。

静电放电(ESD)保护功能符合全球ESD保护标准,包括IEC 61000-4-2和MIL-STD-883 Method 3015。

以太网交换机或集线器内的PoE电源电路可以承受电线上的高达100V的瞬变电压,但还需额外的保护,以免ESD或EOS等高电压电涌对电源造成损坏。

(素材来源:转载自网络,如涉版权请联系删除,特别感谢)

RFVC1800宽带压控振荡器(VCO)是集成了谐振器和缓冲放大器的单片IC。

该款器件偏置电路的工作电压为+5-V单一电源,频率控制调谐电压为0至+13-V。该款器件符合RoHS标准,采用小型4-mmx4-mm QFN封装,有低相位噪声和低功耗。

8-GHz至12-GHz RFVC1800宽带VCO采用公司的砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)工艺制造,主要用在雷达、军事通信、卫星通信、测试仪器和工业/医疗应用中。

该款器件的工作温度范围为-40°C至 +85°C。

这一技术最早可追溯至20世纪60年代,斯坦福研究所的Kautz等人于1969年提出了存算一体计算机概念,后续研究主要围绕芯片电路、计算架构、操作系统、系统应用等层面展开,如加州大学伯克利分校Patterson等人成功把处理器集成在DRAM内存芯片当中,实现智能存算一体的计算架构。

但受限于芯片设计复杂度与制造成本问题,以及缺少大数据应用驱动,早期的存算一体仅停留在研究阶段,并得益于整体架构的创新,达摩院存算一体芯片同时实现了高性能和低系统功耗。

在实际推荐系统应用中,相比传统CPU计算系统,存算一体芯片的性能提升10倍以上,能效提升超过300倍。未得到实际应用。

全新的符合以太网供电标准的单片电涌保护器件,可以抑制包括静电放电(ESD)在内的高压电涌,有助于简化以太网供电设备的设计.意法半导体的PEP01-5841保护芯片用于保护电源设备(PSE),例如通过以太网电缆提供48V电压的PoE以太网交换机或集线器。

静电放电(ESD)保护功能符合全球ESD保护标准,包括IEC 61000-4-2和MIL-STD-883 Method 3015。

以太网交换机或集线器内的PoE电源电路可以承受电线上的高达100V的瞬变电压,但还需额外的保护,以免ESD或EOS等高电压电涌对电源造成损坏。

(素材来源:转载自网络,如涉版权请联系删除,特别感谢)

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