存内计算给MRAM提供了新的思路，过去MRAM磁阻内存很难用于存内计算，因为MRAM在标准的存内计算架构中无法发挥低功耗优势。

三星公司成功开发出新的MRAM阵列,通过新型“电阻”和计算架构,替换当前采用的架构。

MRAM有20多年的发展历史，但是由于其电阻特性，商用之路极其缓慢，本次三星与哈佛大学的新研究可能解决了这一障碍，MRAM从此更近一步。

2003年，IBM和英飞凌将磁存储器元件集成到高性能逻辑基中，开发出当时 “最先进的MRAM”。

VP系列提供 10、16、25 和 35V至 10,000 μF参数，以及从10×12.5mm至18×40mm各种尺寸。这些电容器具有RoHS 合规性和“无卤素”属性。

在高温下提供更低电阻：VP系列电容器在-40°C至+135°C温度范围内具有出色的高可靠性，并且在高压和高温下的电容变化率较低，因此具有特别高的电气可靠性和较长的使用寿命。

uClamp 0511T和uClamp 1211T手机保护器件具有低高度、低漏电和低电容，在便携应用中，该器件设计取代了多层变阻器(MLV)。

双向uClampxx11T器件采用2引脚SLP1006P2T 1.0x0.6x0.4-mm封装。

该系列在125度额定温度时，电容范围为470 nf~35nf，额定电压为25~1,000 V，150度时和更高温度时将比正常电容额定值略低一些。

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