45纳米的处理技术处理能力增强30%的1.3GHz处理器
发布时间:2022/2/1 14:20:21 访问次数:231
45纳米技术还有效的改善了功耗，与上一代Snapdragon产品相比，动态功耗降低了30%,待机功耗低于10mW，达到前所未有的水平。
拓展其Snapdragon平台，下一代芯片组产品将采用45纳米的处理技术，从而为基于Snapdragon的智能手机和smartbook提供更快的处理速度、更长的电池寿命和其它增强的用户体验。
QSD8650A芯片组提供了超高集成度。除更快的处理器和总线速度外，新QSD8650A芯片组也提供UMTS与CDMA 3G多模移动宽带连接功能，并与现有Snapdragon芯片组一样使用15x15mm的封装尺寸。
特性混合中等功率解决方案大电流承载能力，外形小巧每电源刀片高达20A2至10个电源刀片（2mm间距）6至140个信号引脚（0.8mm间距）可靠的4点电源触点设计信号速度高达12Gb/s5mm至20mm堆叠高度（1mm增量）防斜插外壳具有±0.9mm偏移容差，支持盲插和自动装配外壳采用金属固定，可实现较高PCB保持力高温LCP材料支持工作温度高达+125°C满足USCAR-2 V2冲击和振动要求无铅、无卤符合RoHS指令
新Snapdragon QSD8650A芯片组预计于2009年底前出样，该芯片组实现了多项重大的性能提升包括处理能力增强30%的1.3 GHz处理器、增强的多媒体以及2D/3D图形功能。
样品套装还包括优化至极低电容（最高为15 pF）的高速系列压敏电阻，它们适用于CAN、LIN、FlexRay或MOST等总线系统，可以防止信号衰减。该转换器的额定功率为6W，工作输入电压范围为2:1，分别为9~18 Vdc、18~36 V dc和36~72 V dc。这些器件可提供5、12Vdc单输出电压和±12和±15 V dc双输出电压。
(素材来源：转载自网络,如涉版权请联系删除,特别感谢）
45纳米技术还有效的改善了功耗，与上一代Snapdragon产品相比，动态功耗降低了30%,待机功耗低于10mW，达到前所未有的水平。
拓展其Snapdragon平台，下一代芯片组产品将采用45纳米的处理技术，从而为基于Snapdragon的智能手机和smartbook提供更快的处理速度、更长的电池寿命和其它增强的用户体验。
QSD8650A芯片组提供了超高集成度。除更快的处理器和总线速度外，新QSD8650A芯片组也提供UMTS与CDMA 3G多模移动宽带连接功能，并与现有Snapdragon芯片组一样使用15x15mm的封装尺寸。
特性混合中等功率解决方案大电流承载能力，外形小巧每电源刀片高达20A2至10个电源刀片（2mm间距）6至140个信号引脚（0.8mm间距）可靠的4点电源触点设计信号速度高达12Gb/s5mm至20mm堆叠高度（1mm增量）防斜插外壳具有±0.9mm偏移容差，支持盲插和自动装配外壳采用金属固定，可实现较高PCB保持力高温LCP材料支持工作温度高达+125°C满足USCAR-2 V2冲击和振动要求无铅、无卤符合RoHS指令
新Snapdragon QSD8650A芯片组预计于2009年底前出样，该芯片组实现了多项重大的性能提升包括处理能力增强30%的1.3 GHz处理器、增强的多媒体以及2D/3D图形功能。
样品套装还包括优化至极低电容（最高为15 pF）的高速系列压敏电阻，它们适用于CAN、LIN、FlexRay或MOST等总线系统，可以防止信号衰减。该转换器的额定功率为6W，工作输入电压范围为2:1，分别为9~18 Vdc、18~36 V dc和36~72 V dc。这些器件可提供5、12Vdc单输出电压和±12和±15 V dc双输出电压。
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