800V高电压占用极小的面板空间实现开关损耗和电源效率
发布时间:2022/1/19 12:46:22 访问次数:131
Magnachip一直在提供高性能MOSFET.自2013年推出首款SJ MOSFET以来,累计出货量已达20亿片。Magnachip已将其目前的旗舰600V SJ MOSFET供应给电视制造商,巩固了其在SJ MOSFET市场的竞争优势。
高压600V超结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。
新的第 2.5 代 (2.5G) 600V SJ MOSFET采用基于最新工艺技术的开发,与前几代相比,开关性能提高了10%以上.因此,Magnachip实现了更低的开关损耗和更好的电源效率。

数字温度传感器采用小巧的SOT-23封装,最大温度误差仅为+/-1摄氏度,能撷取温度数据,并将其转换为数字量后传送至单片机或中央处理器。新器件仅占用极小的面板空间,能够更准确地测量温度,保护和/或校准系统并提供温度信息,可帮助设计人员有效保护应用,更快地应对温度变化。
Microchip MCP980X器件能在约30毫秒内把温度数据以9位分辨率转换成数字量,并通过I2C™或SMBus业界标准接口传送,可迅速察觉到系统内的温度变化情况。新器件采用SOT-23封装,毋须外置器件,大大节省了布板空间及元器件数量,并为应用在温度方面提供更全面的保护。

相比而言,DM4.0模块和其他车规级IGBT模块在主观和客观上均没有类似条件。
但是短期来看,比亚迪半导体功率半导体业务的营收主要还是与关联客户的采购量呈正相关,外销(即非关联客户)占比有限。
(素材来源:转载自网络,如涉版权请联系删除,特别感谢)
Magnachip一直在提供高性能MOSFET.自2013年推出首款SJ MOSFET以来,累计出货量已达20亿片。Magnachip已将其目前的旗舰600V SJ MOSFET供应给电视制造商,巩固了其在SJ MOSFET市场的竞争优势。
高压600V超结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。
新的第 2.5 代 (2.5G) 600V SJ MOSFET采用基于最新工艺技术的开发,与前几代相比,开关性能提高了10%以上.因此,Magnachip实现了更低的开关损耗和更好的电源效率。

数字温度传感器采用小巧的SOT-23封装,最大温度误差仅为+/-1摄氏度,能撷取温度数据,并将其转换为数字量后传送至单片机或中央处理器。新器件仅占用极小的面板空间,能够更准确地测量温度,保护和/或校准系统并提供温度信息,可帮助设计人员有效保护应用,更快地应对温度变化。
Microchip MCP980X器件能在约30毫秒内把温度数据以9位分辨率转换成数字量,并通过I2C™或SMBus业界标准接口传送,可迅速察觉到系统内的温度变化情况。新器件采用SOT-23封装,毋须外置器件,大大节省了布板空间及元器件数量,并为应用在温度方面提供更全面的保护。

相比而言,DM4.0模块和其他车规级IGBT模块在主观和客观上均没有类似条件。
但是短期来看,比亚迪半导体功率半导体业务的营收主要还是与关联客户的采购量呈正相关,外销(即非关联客户)占比有限。
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