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86dB(增益为5)的高共模抑制比(CMRR)消除了共模干扰

发布时间:2022/1/16 18:34:18 访问次数:107

TNETV1050集成了专用的双通道16位音频编码译码器(支持听筒,免提)与以太网子系统,该以太网子系统包含两个以太网MAC、PHY以及一个三端口线路速率交换机。

这种新型的IP电话处理器基于TMS320C55x DSP及增强型高速MIPS32 RISC内核,提供超级处理能力来支持目前和下一代的IP电话标准,并能提供额外的高级功能。

该器件充分利用了TI在通信处理器方面针对VoIP应用所做的投资,满足了具有更快处理器间通信、更多数据与指令高速缓冲存储器以及更多片上RAM等方面的IP电话应用要求。

台积电将会在2纳米芯片中采用GAAFET工艺,目前来看台积电已经试产了3纳米芯片,预计今年将会量产,但是台积电3纳米的工艺现在还是采用FinFET工艺,从研发到生产上,FinFET转到GAAFET还需要有一定的适应调节能力。

从质量和产量两方面考虑,台积电无疑会率先推出2纳米代工工艺,目前台积电投资约300亿美金的Fab20正在建设,预计2024开始运营,主要负责3/2/1纳米先进工艺,2025年2纳米将在这里最早实现量产。

AD8235 的宽电源范围可省去额外的电源,它的宽共模输入电压范围(5V 和 1.8V 电源供电时分别为 4V 和 1.4V)对于许多电池供电的便携式应用所需的低电压工作方式而言非常重要。86 dB(增益为5)的高共模抑制比 (CMRR) 则有效地消除了共模干扰。

制程工艺当属初露锋芒的4纳米了,而能达到此项工艺技术水平的,全球也只有台积电和三星两家。根据此前台积电和三星放出的消息,2022年将成为3纳米的诞生之年,并且都表现出了将在2025年量产2纳米的决心。

虽然3纳米现在还没被达到量产,但从几大厂商在3纳米上的研发进度就可初见端倪。

(素材来源:转载自网络,如涉版权请联系删除,特别感谢)

TNETV1050集成了专用的双通道16位音频编码译码器(支持听筒,免提)与以太网子系统,该以太网子系统包含两个以太网MAC、PHY以及一个三端口线路速率交换机。

这种新型的IP电话处理器基于TMS320C55x DSP及增强型高速MIPS32 RISC内核,提供超级处理能力来支持目前和下一代的IP电话标准,并能提供额外的高级功能。

该器件充分利用了TI在通信处理器方面针对VoIP应用所做的投资,满足了具有更快处理器间通信、更多数据与指令高速缓冲存储器以及更多片上RAM等方面的IP电话应用要求。

台积电将会在2纳米芯片中采用GAAFET工艺,目前来看台积电已经试产了3纳米芯片,预计今年将会量产,但是台积电3纳米的工艺现在还是采用FinFET工艺,从研发到生产上,FinFET转到GAAFET还需要有一定的适应调节能力。

从质量和产量两方面考虑,台积电无疑会率先推出2纳米代工工艺,目前台积电投资约300亿美金的Fab20正在建设,预计2024开始运营,主要负责3/2/1纳米先进工艺,2025年2纳米将在这里最早实现量产。

AD8235 的宽电源范围可省去额外的电源,它的宽共模输入电压范围(5V 和 1.8V 电源供电时分别为 4V 和 1.4V)对于许多电池供电的便携式应用所需的低电压工作方式而言非常重要。86 dB(增益为5)的高共模抑制比 (CMRR) 则有效地消除了共模干扰。

制程工艺当属初露锋芒的4纳米了,而能达到此项工艺技术水平的,全球也只有台积电和三星两家。根据此前台积电和三星放出的消息,2022年将成为3纳米的诞生之年,并且都表现出了将在2025年量产2纳米的决心。

虽然3纳米现在还没被达到量产,但从几大厂商在3纳米上的研发进度就可初见端倪。

(素材来源:转载自网络,如涉版权请联系删除,特别感谢)

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