集成功能和各种保护功能可确保轻松与微控制器连接
发布时间:2022/1/3 0:13:49 访问次数:556
NovalithIC系列在一个封装内集成了3个独立芯片:P沟道MOSFET(高侧)、N沟道MOSFET(低侧)和采用半桥配置的驱动器IC。
功率开关采用垂直MOS技术,可获得最佳的通态电阻。
P沟道高侧开关意味着无需采用电荷泵,将提升EMC性能。逻辑电平输入、诊断功能、转换率调节、死区时间生成等集成功能和各种保护功能可确保轻松与微控制器连接。NovalithIC模块也可采用H桥配置或驱动三相电机。
互调仪主要参数如下:
测试端口输出功率:(默认值连续波)典型2*50dBm
测试模式:点频模式、扫频模式、时域模式
系统自身互调:≤-168dBc
系统底噪:≤-135dBm
测量精度:±1.5dB @ -110dBm标准信号参考值
不确定度:≤±3.8dB (符合IEC62037标准)
动态范围:75 dB,typical
测试范围:-55~-130dBm(-98~-173dBc)
测试端口:DIN-F
显示及控制:RS-232/LAN网口 (内置显示器和触摸屏)

当 MN 移动到新的网络中时,会收到 NAR 的代理路由公告 PrRtAdv。
节点根据其子网地址和 MN 的接口自动配置得到 NCoA。为了避免在同一链路中多个 MN 同时进行DAD 可能造成的网络阻塞,通常都需要等待一段随机时间(0~1 000 ms) 后才开始 DAD。
随后 MN 通过邻居请求消息向NAR 请求执行重复地址检测 DAD,NAR 收到邻居请求消息后,对 MN 的 NLCoA 进行检测过程。如果在开始后的一段时间内未收到已占用此地址的主机发出的邻居公告,则 DAD检测过程结束,MN 可以使用该地址接入子网。如果检测不成功,则需要重新配置。
(素材来源:21ic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
NovalithIC系列在一个封装内集成了3个独立芯片:P沟道MOSFET(高侧)、N沟道MOSFET(低侧)和采用半桥配置的驱动器IC。
功率开关采用垂直MOS技术,可获得最佳的通态电阻。
P沟道高侧开关意味着无需采用电荷泵,将提升EMC性能。逻辑电平输入、诊断功能、转换率调节、死区时间生成等集成功能和各种保护功能可确保轻松与微控制器连接。NovalithIC模块也可采用H桥配置或驱动三相电机。
互调仪主要参数如下:
测试端口输出功率:(默认值连续波)典型2*50dBm
测试模式:点频模式、扫频模式、时域模式
系统自身互调:≤-168dBc
系统底噪:≤-135dBm
测量精度:±1.5dB @ -110dBm标准信号参考值
不确定度:≤±3.8dB (符合IEC62037标准)
动态范围:75 dB,typical
测试范围:-55~-130dBm(-98~-173dBc)
测试端口:DIN-F
显示及控制:RS-232/LAN网口 (内置显示器和触摸屏)

当 MN 移动到新的网络中时,会收到 NAR 的代理路由公告 PrRtAdv。
节点根据其子网地址和 MN 的接口自动配置得到 NCoA。为了避免在同一链路中多个 MN 同时进行DAD 可能造成的网络阻塞,通常都需要等待一段随机时间(0~1 000 ms) 后才开始 DAD。
随后 MN 通过邻居请求消息向NAR 请求执行重复地址检测 DAD,NAR 收到邻居请求消息后,对 MN 的 NLCoA 进行检测过程。如果在开始后的一段时间内未收到已占用此地址的主机发出的邻居公告,则 DAD检测过程结束,MN 可以使用该地址接入子网。如果检测不成功,则需要重新配置。
(素材来源:21ic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)