IGBT进行电子换向以实现交流感应电机所需的正弦电流
发布时间:2021/12/25 17:49:14 访问次数:933
LT3650-8.2 的 1MHz 高工作频率和电流模式架构允许使用小型电感器和电容器,从而最大限度地降低噪声和滤波需求。
最终浮动电压准确度规定为±0.5%,充电电流准确度为±5%,C/10检测准确度为±2.5%。
LT3650-8.2 在所有非充电周期最大限度地延长了电池寿命,电池消耗不到1uA.就安全和自主充电控制而言,LT3650-8.2具有诸如自动重启动和预查验、一个热敏电阻输入用于温度合格的充电、可编程输入电流限制、坏电池检测和二进制编码状态输出引脚等功能。
NAND闪存制造商必须要面对市场对高存储密度低成本的需求。Toshiba和SanDisk已经通过应用其创新技术做出了积极的响应。
3位/单元32nm技术时代的器件为其行地址解码器和扩展的列结构采用最优化的电路设计，做到了尺寸仅为113mm2 的芯片，是该技术时代下已达到的最小晶片尺寸。
使用功率级中用于驱动它们的绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。典型的总线电压为 200 V DC至 1,000 V DC。IGBT进行电子换向以实现交流感应电机所需的正弦电流。
光电隔离栅极驱动器已成功用于驱动IGBT并提供电流安全隔离。光电隔离栅极驱动器的输入级包含单个铝砷化镓 (AlGaAs) LED。
通过双层微带2X2阵列天线的测试结果可以看出,天线的阻抗匹配带宽已有了明显的扩展，且组阵增益达到了10.7dB，与仿真值接近，轴比为4dB，符合圆极化要求。
(素材来源：eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
LT3650-8.2 的 1MHz 高工作频率和电流模式架构允许使用小型电感器和电容器,从而最大限度地降低噪声和滤波需求。
最终浮动电压准确度规定为±0.5%,充电电流准确度为±5%,C/10检测准确度为±2.5%。
LT3650-8.2 在所有非充电周期最大限度地延长了电池寿命,电池消耗不到1uA.就安全和自主充电控制而言,LT3650-8.2具有诸如自动重启动和预查验、一个热敏电阻输入用于温度合格的充电、可编程输入电流限制、坏电池检测和二进制编码状态输出引脚等功能。
NAND闪存制造商必须要面对市场对高存储密度低成本的需求。Toshiba和SanDisk已经通过应用其创新技术做出了积极的响应。
3位/单元32nm技术时代的器件为其行地址解码器和扩展的列结构采用最优化的电路设计，做到了尺寸仅为113mm2 的芯片，是该技术时代下已达到的最小晶片尺寸。
使用功率级中用于驱动它们的绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。典型的总线电压为 200 V DC至 1,000 V DC。IGBT进行电子换向以实现交流感应电机所需的正弦电流。
光电隔离栅极驱动器已成功用于驱动IGBT并提供电流安全隔离。光电隔离栅极驱动器的输入级包含单个铝砷化镓 (AlGaAs) LED。
通过双层微带2X2阵列天线的测试结果可以看出,天线的阻抗匹配带宽已有了明显的扩展，且组阵增益达到了10.7dB，与仿真值接近，轴比为4dB，符合圆极化要求。
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