100MHz的Flash存储器工作速度导致传感器迟滞误差波动
发布时间:2021/12/23 23:42:26 访问次数:1156
SH72531具有1.25Mb片上Flash存储器（这几乎是瑞萨科技公司利用先前的工艺节点制造而成的Flash MCU所具有的最大容量），并且可以处理大型程序。
由于工作原理的原因，Flash存储器的最高工作速度比逻辑模块的低。尽管如此，SH72531仍然采用了瑞萨科技公司独有的Flash存储器设计技术来实现100MHz的Flash存储器工作速度。
并且,当片上Flash存储器上的数据用于处理时,针对Flash存储器进行了优化的低功耗高速缓存电路可以降低功耗,并且可以在120MHz的工作速度下提供约等于单周期存取性能。
ZigBee与51内核的射频无线传感器网络节点硬件设计。该设计围绕Chipcon公司的CC2430芯片，该芯片满足ZigBee协议的物理层要求，并集成了一个51内核的MCU，价格低廉，具备很好的开发潜力。
主控电路是整个系统的核心，它负责整个节点的全面调度与控制。
设计采用了模块化设计方法，能够应用于各种基于ZigBee协议的软硬件开发。本文将详细介绍其各模块的设计方法与原理。
该系统总体上分为两个部分：第一部分是控制器与射频模块部分；第二部分是外围扩展电路部分。
桥式称重传感器的使用过程中，虽然弹性体两端已用螺栓与底座组件旋紧，但毕竟弹性体与底座组件是分体的，所以弹性体与底座组件的接触面处就会产生微量的滑动,这个微量的滑动作用在弹性体上，与摩擦力的方向也相反。
这样会导致在弹性体的应变区处同一载荷（加载或卸载）下的剪应力发生一定的变化。
弹性体在加载和卸载的过程中底座组件对弹性体的摩擦力方向不同，造成弹性体应变区处剪应力的变化也有一定的差异，这样会导致传感器迟滞误差的波动，从而降低了传感器在使用过程中的测量精度。
(素材来源：eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
SH72531具有1.25Mb片上Flash存储器（这几乎是瑞萨科技公司利用先前的工艺节点制造而成的Flash MCU所具有的最大容量），并且可以处理大型程序。
由于工作原理的原因，Flash存储器的最高工作速度比逻辑模块的低。尽管如此，SH72531仍然采用了瑞萨科技公司独有的Flash存储器设计技术来实现100MHz的Flash存储器工作速度。
并且,当片上Flash存储器上的数据用于处理时,针对Flash存储器进行了优化的低功耗高速缓存电路可以降低功耗,并且可以在120MHz的工作速度下提供约等于单周期存取性能。
ZigBee与51内核的射频无线传感器网络节点硬件设计。该设计围绕Chipcon公司的CC2430芯片，该芯片满足ZigBee协议的物理层要求，并集成了一个51内核的MCU，价格低廉，具备很好的开发潜力。
主控电路是整个系统的核心，它负责整个节点的全面调度与控制。
设计采用了模块化设计方法，能够应用于各种基于ZigBee协议的软硬件开发。本文将详细介绍其各模块的设计方法与原理。
该系统总体上分为两个部分：第一部分是控制器与射频模块部分；第二部分是外围扩展电路部分。
桥式称重传感器的使用过程中，虽然弹性体两端已用螺栓与底座组件旋紧，但毕竟弹性体与底座组件是分体的，所以弹性体与底座组件的接触面处就会产生微量的滑动,这个微量的滑动作用在弹性体上，与摩擦力的方向也相反。
这样会导致在弹性体的应变区处同一载荷（加载或卸载）下的剪应力发生一定的变化。
弹性体在加载和卸载的过程中底座组件对弹性体的摩擦力方向不同，造成弹性体应变区处剪应力的变化也有一定的差异，这样会导致传感器迟滞误差的波动，从而降低了传感器在使用过程中的测量精度。
(素材来源：eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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