锂离子电池充电电平所要求\1.3安(A)的较大直接充电流

发布时间:2021/12/22 12:51:36 访问次数:1543

NCP370集成了低导通阻抗(Ron)的N沟道MOSFET，有效支持便携电子产业最新的锂离子电池充电电平所要求的高达1.3安(A)的较大直接充电流。

NCP370是安森美半导体新一代OVP产品其中的一款，提供几种不同的过压阈值来配合下行应用的最大额定值要求。

这器件还提供另一种“反向”模式，实现对源自便携设备电池的反向电流的稳流，为广泛连接在便携设备底部连接器上的FM收发器、音频功能或闪光功能等外部附件供电。

DDR5 内存将供电电路移至 PCB 的做法，可以更好地发挥内存条的超频潜能，保证供电更稳定，并有助于在服务器上的应用，但是这一做法使得每条内存都需要增加额外的供电电路，大幅提高了厂商采购元器件的难度和成本。

目前 Renesas 瑞萨电子、IDT、Montage Technologies、德州仪器、三星电子这几家厂商有能力提供 DDR5 内存 PMIC 芯片，瑞萨的芯片还通过了英特尔的验证。尽管三星有自己的芯片，但是其第一批 DDR5 内存条同样使用了瑞萨电子的芯片。

通过不断的设计优化，电动汽车和混合动力汽车比传统的内燃机汽车能够更加安静，尤其是在停止的时侯，而驾驶员则对冷却风扇等组件产生的噪音越来越敏感。

A89307 基于硬件的算法使设计人员能够更轻松地降低风扇噪音，同时提高冷却性能，并增加每次充电的续航里程数。这无论对于汽车用户还是对环境都有好处。

A89307 集成有基于硬件的算法，无需外部传感器或软件开发，用户只需使用简单的图形用户界面(GUI) 选择参数并将它们加载到 IC 的片上 E2EPROM。

(素材来源：eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢）

NCP370集成了低导通阻抗(Ron)的N沟道MOSFET，有效支持便携电子产业最新的锂离子电池充电电平所要求的高达1.3安(A)的较大直接充电流。

NCP370是安森美半导体新一代OVP产品其中的一款，提供几种不同的过压阈值来配合下行应用的最大额定值要求。

A89307 集成有基于硬件的算法，无需外部传感器或软件开发，用户只需使用简单的图形用户界面(GUI) 选择参数并将它们加载到 IC 的片上 E2EPROM。

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