65nm技术CMOS工艺的单芯片射频发射器件,能够全面满足2G/3G/LTE各项射频功能，其配置的DigRF数字接口能够与基带芯片直接连接,以充分达到LTE网络所要求的最高150兆比特每秒的网络传输速率。

与此同时，英飞凌在其久负盛名的3G射频发射芯片系列——SMARTi UE中推出了第三代新产品：SMARTi UEmicro。

SMARTi UEmicro为超低端3G终端进行了专门的产品优化，采用该器件后，双波段WCAMA/EDGE终端设备的电子射频器件成本可以降低到6.50美元之下。这与目前市场上现有方案相比，成本上有超过40%的下降。

EP-SMA 27 GHz组件具有与SMA-6GHz、12GHz和18GHz解决方案相同的占板面积，这意味着通常不需要改变现有布局，即可将频率扩展至27GHz或实现更高的SMA性能。

该芯片如此广泛的射频波段支持能力，使其能够极好地与全球HSPA/LTE网络无缝配合。

SMARTi LU所采用的符合MIPI DigRF v4标准的数字基带芯片接口，为手机系统设计“全数字化”树立了一个新的里程碑，使得基带芯片设计向进一步集成化、向32nm或更精密半导体技术前进提供了保障。

插件大电流电感产品线添加了WE-HCFT 2504， 一款总高度非常低的型号。该款使用了 MnZn 磁芯的扁平线电感只有 4 mm 高，这在标准件市场上是独一无二的。它的载流能力最高可达 33 A，是 HCFT 产品系列中功率密度和效率最高的产品之一。

采用经过优化的导线和磁芯设计，该电感具有非常低的直流和交流损耗。此外，WE-HCFT 2504在-40℃至+125℃的整个工作温度范围内都具有非常出色的温度性能。

WE-HCFT 2504的电感值有1μH、2.2μH、4.7μH、6.8μH和10μH。