APB总线的各类增强型I/O紧凑型1×1.5 WL-CSP封装

发布时间:2021/12/20 23:12:10 访问次数:244

GD32L233系列MCU的最高主频为64MHz，集成了64KB到256KB的嵌入式eFlash和16KB到32KB的SRAM，以及连接到两条APB总线的各类增强型I/O和外设资源。

芯片持续采用行业领先的Arm® Cortex®-M23内核,通过精简强大的Armv8-M指令集和全面优化的总线设计带来高效处理能力,包含独立的乘法器和除法器,适用于低功耗、高效节能的深度嵌入式应用场景。

GD32L233系列MCU实现了优异的功耗效率，深度睡眠(Deep-sleep)电流降至2uA，唤醒时间低于10uS，待机(Standby)电流最低仅有0.4uA。

高效的电动动力总成通常要求定子电源电流与转子位置保持同步，以实现最佳效率和扭矩特性控制。得益于MLX90510 的数字架构和坚固耐用的设计，汽车工程师能够充分利用这款芯片稳健的电磁兼容（EMC）性能，尽可能地降低电子控制单元（ECU）的工作量，从而降低模块成本。

MLX90510 提供差分正弦和余弦模拟输出，并基于数字架构。其中包含 Melexis 专利的跟踪环技术。

负载开关采用紧凑型1×1.5 WL-CSP封装，具有稳健的ESD保护功能(5.5kV)，能够解决便携式设计的空间和ESD保护问题。

共模抑制(CMR)是差分放大器的一个关键方面。CMR可以通过将两个晶体管M1和M2的基极连接到同一输入源来测量。

当W1的共模电压从+3 V扫描至-3 V时，电阻偏置差分对和电流源偏置差分对的差分输出。当栅极上的正电压接近漏极电压，晶体管从饱和区进入三极管（阻性）区域时，增益受到的影响最大。

这可以通过观察相对于地为单端（即将2-输入接地）的漏极电压来监测。应调整发生器的幅度，直到输出端信号就要开始削波/折叠。

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