1SEG信号用调谐器模块的宽频带低噪声放大器（下称LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7。

近年来，手机和汽车导航等能接收1SEG信号的产品在不断增加。由于终端接收信号灵敏度不足，所以需要具有高增益/高线性/低噪声的高性能LNA。新日本无线株式会社为满足这种市场需求开发了NJG1134HA8,而1SEG信号接收用LNA GaAs MMIC NJG1129MD7则是为了满足市场所求的更高灵敏度。

NJG1129MD7可支持470～770MHz的带宽，并且通过采用W-CDMA用LNA的设计技术而实现了15dB（典型值，@ f=470～770MHz）的增益（而NJG1134HA8的则为10dB（典型值，@ f=470～770MHz）。

器件支持DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR1, LPDDR2, LPDDR3和高达32位ECC的SLC/MLC NAND 闪存储器.设计用于支持物联网端点,可穿戴设备,电器或工业设备等各种应用.

（传统的）堆叠式 CMOS 图像传感器的堆叠式结构中，背照式像素组成的像素芯片堆叠在逻辑芯片之上，而信号处理电路构成了逻辑芯片。

单臂长度L接近于1/4入射波波长，宽度较窄,当分支之一被特定极化的雷达波束照射时，表面将产生感应电流，因导体上电流的连续性，另一分支也将激励起电流并产生交叉极化的散射场。在保持振子L型金属导带基本结构不变的情况下，在分支中嵌入贴片电感，成功缩短了单臂尺寸。

为了更大程度增强目标的交叉极化响应，本文提出了一种L型缝隙贴片的设计，即在正方形金属贴片上开L型缝隙。