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HVV0405-175的性能超过双级和LDMOS晶体管的片内FLASH

发布时间:2021/12/15 22:49:46 访问次数:757

ARM选用LPC2214FBD144,表贴,TQFP封装,144引脚,Philips。集成有16KB的片内RAM及256KB的片内FLASH。

模块DP数据转发、长发故障的判断,读取监控电源的状态,通道灯的状态显示等基本由硬件逻辑完成。

硬件可编程逻辑器件选用Xilinx公司性价比相对较高的spartan-6系列的xc6slx9器件,它具有5720个LUT(查找表),9152个L(C逻辑单元),11440个FK触发器),32个BlockRAM(18KbEach),最大用户引脚102个,144-pinTQFP封装。

HVV0405-175 高电压垂直场效应电晶体(HVVFET)适用于 UHF 频带的雷达应用。

UHF HVVFET 在额定输出功率和工作电压下,在整个频带和所有相位下能经受住相当于20:1 VSWR的输出负载失配,从而提升系统可靠性。

HVV0405-175 的性能超过双级和 LDMOS 晶体管,可让设计师取消功率放大器(PA)中的放大级,减少零件数并降低 PCB 空间需求。HVVFET 技术中高级别的耐用性和可靠性还可让设计师取消大体积高成本的隔离器,从而减小系统的体积和重量。

通过设置底座上的终端电阻,在下级DP总线网络中可作中间节点,也可作末端节点。

Symwave(芯微技术)发布符合USB3.0规范的物理层(PHY)解决方案。并首次在加州圣荷西举行的超高速USB开发会议(SuperSpeed USB Developer Conference)中,以超高速5Gbps进行现场展示,较目前速度最快的USB装置速度提升了十倍。

在此会议中,也同时首次公开发行最新的1.0版规范。SuperSpeed USB可与目前已出货超过100亿个USB设备向下兼容,不但能提升高达10倍的传输速度,同时还能提高功耗效能。



(素材来源:eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

ARM选用LPC2214FBD144,表贴,TQFP封装,144引脚,Philips。集成有16KB的片内RAM及256KB的片内FLASH。

模块DP数据转发、长发故障的判断,读取监控电源的状态,通道灯的状态显示等基本由硬件逻辑完成。

硬件可编程逻辑器件选用Xilinx公司性价比相对较高的spartan-6系列的xc6slx9器件,它具有5720个LUT(查找表),9152个L(C逻辑单元),11440个FK触发器),32个BlockRAM(18KbEach),最大用户引脚102个,144-pinTQFP封装。

HVV0405-175 高电压垂直场效应电晶体(HVVFET)适用于 UHF 频带的雷达应用。

UHF HVVFET 在额定输出功率和工作电压下,在整个频带和所有相位下能经受住相当于20:1 VSWR的输出负载失配,从而提升系统可靠性。

HVV0405-175 的性能超过双级和 LDMOS 晶体管,可让设计师取消功率放大器(PA)中的放大级,减少零件数并降低 PCB 空间需求。HVVFET 技术中高级别的耐用性和可靠性还可让设计师取消大体积高成本的隔离器,从而减小系统的体积和重量。

通过设置底座上的终端电阻,在下级DP总线网络中可作中间节点,也可作末端节点。

Symwave(芯微技术)发布符合USB3.0规范的物理层(PHY)解决方案。并首次在加州圣荷西举行的超高速USB开发会议(SuperSpeed USB Developer Conference)中,以超高速5Gbps进行现场展示,较目前速度最快的USB装置速度提升了十倍。

在此会议中,也同时首次公开发行最新的1.0版规范。SuperSpeed USB可与目前已出货超过100亿个USB设备向下兼容,不但能提升高达10倍的传输速度,同时还能提高功耗效能。



(素材来源:eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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