PAE高达60%的裸片和封装氮化镓MMIC放大器单线程性能
发布时间:2021/12/7 13:27:55 访问次数:1463
RF3267 具有集成的耦合器,从而手机设计人员无需象以往一样在功率放大器的输出端放置外置耦合器。在不增加行业领先的 3x3x0.9 mm 封装尺寸的情况下,即可实现额外功能的整合,这是跟随上一代功率放大器 (RF3266) 的成功而首次推出。
芯片的人工智能 AI 运算能力同样有提升,速度超过 29 TOPs。
通过保持与获得巨大成功的上一代功率放大器引脚对引脚兼容,RFMD的RF3267有助于手机原始设备制造商(OEM)寻求压缩手机射频部分,以支持更小,更薄的设备。
用于S和X波段、PAE高达60%的裸片和封装氮化镓MMIC放大器,以及覆盖直流至14GHz、P3dB射频输出功率高达100W,最大效率为70%的分立高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。
这些模块将单片机(MCU)与射频收发器(Wi-Fi® MCU)相结合,支持从蓝牙®和Wi-Fi到LoRa®的主要短程无线通信协议。
AIoTel RV1109及AIoTel RV1126两款芯片的推出,为各类视频物联网终端提供智能通信、视频监控、AI识别、IoT连接管理等核心能力,具有集成快、质量高、管理优、覆盖广等优势。

针对 PC 平台设计的 SoC 芯片:骁龙 8cx Gen 3。这款产品可以应用于笔记本、平板电脑等设备,采用 5nm 制程工艺,预计由三星电子代工制造。官方表示,这款芯片是 Windows 平台首款 5nm 芯片。
这款芯片CPU部分具有四颗3.0GHz大核,四颗 2.4GHz 小核,总计高达 14MB 缓存,TDP 15W 左右。
性能方面,骁龙 8cx Gen 3 相比第二代骁龙 8cx Gen 2,CPU 性能提高 85%,GPU 性能提升 60%,单线程性能提高 40%。此外,高通表示,这款产品与 x86 平台同类芯片相比,每瓦性能要高出 60%。高通没有透露比较的对象,但表示搭载全新芯片的设备,续航能力会有很大提升。
(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
RF3267 具有集成的耦合器,从而手机设计人员无需象以往一样在功率放大器的输出端放置外置耦合器。在不增加行业领先的 3x3x0.9 mm 封装尺寸的情况下,即可实现额外功能的整合,这是跟随上一代功率放大器 (RF3266) 的成功而首次推出。
芯片的人工智能 AI 运算能力同样有提升,速度超过 29 TOPs。
通过保持与获得巨大成功的上一代功率放大器引脚对引脚兼容,RFMD的RF3267有助于手机原始设备制造商(OEM)寻求压缩手机射频部分,以支持更小,更薄的设备。
用于S和X波段、PAE高达60%的裸片和封装氮化镓MMIC放大器,以及覆盖直流至14GHz、P3dB射频输出功率高达100W,最大效率为70%的分立高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。
这些模块将单片机(MCU)与射频收发器(Wi-Fi® MCU)相结合,支持从蓝牙®和Wi-Fi到LoRa®的主要短程无线通信协议。
AIoTel RV1109及AIoTel RV1126两款芯片的推出,为各类视频物联网终端提供智能通信、视频监控、AI识别、IoT连接管理等核心能力,具有集成快、质量高、管理优、覆盖广等优势。

针对 PC 平台设计的 SoC 芯片:骁龙 8cx Gen 3。这款产品可以应用于笔记本、平板电脑等设备,采用 5nm 制程工艺,预计由三星电子代工制造。官方表示,这款芯片是 Windows 平台首款 5nm 芯片。
这款芯片CPU部分具有四颗3.0GHz大核,四颗 2.4GHz 小核,总计高达 14MB 缓存,TDP 15W 左右。
性能方面,骁龙 8cx Gen 3 相比第二代骁龙 8cx Gen 2,CPU 性能提高 85%,GPU 性能提升 60%,单线程性能提高 40%。此外,高通表示,这款产品与 x86 平台同类芯片相比,每瓦性能要高出 60%。高通没有透露比较的对象,但表示搭载全新芯片的设备,续航能力会有很大提升。
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