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单片微波集成电路(MMIC)和分立晶体管降低了电流消耗

发布时间:2021/12/7 13:22:35 访问次数:312

WCDMA/HSDPA 功率放大器 (PA) – RF3267 和 RF6266,从而扩展其在公开市场上的 3G 前沿产品系列。新推出的高度集成WCDMA/HSDPA功率放大器旨在支持下一代多频段、多模式3G手机和智能电话的关键需求。

根据当前客户预测和设计活动,RFMD预计RF3267和RF6266将在本季开始批量发货。

RFMD的RF3267是1频段(1920至 1980 MHz)、具有数控低功率模式的WCDMA/HSDPA 功率放大器,允许高达 19dBm 工作,降低了电流消耗。

NZ10150和WZ10150最大亮度分别可达95lm和120lm,平均亮度分别为80lm和105lm,Z1系列由具有高热导率的陶瓷制成,装有大型发光板,以便客户能够轻松控制灯的热度。这些特点使 Z1 能够在高温下更长时间发出强光,具有更高的可靠性,非常适用于室内和室外照明及家用器具的照明设计。

高亮度 LED,Z1 的厚度仅 1.2 毫米,像一张信用卡的厚度。因此,Z1 是各种小体积产品的最佳选择,紧随时代潮流。Z1可用于各种照明领域。其中,最典型的应用领域在于用显示屏替代安装于如冰箱和橱柜等狭小部位的板灯,以及安全灯和用于装饰的嵌灯等。

频率最高可达20千兆赫(GHz)的新款单片微波集成电路(MMIC)和分立晶体管。这些器件同时具备高功率附加效率(PAE)和高线性度,为5G、电子战、卫星通信、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的性能水平。

与所有Microchip的GaN射频功率产品一样,新器件采用碳化硅基氮化镓技术制造,提供了高功率密度和产量的最佳组合,可在高压下运行,255℃结温下使用寿命超过100万小时。

这些产品包括覆盖2至18GHz、12至20GHz、3dB压缩点(P3dB)射频输出功率高达20W、效率高达25%的12至20GHz的氮化镓MMIC.


(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

WCDMA/HSDPA 功率放大器 (PA) – RF3267 和 RF6266,从而扩展其在公开市场上的 3G 前沿产品系列。新推出的高度集成WCDMA/HSDPA功率放大器旨在支持下一代多频段、多模式3G手机和智能电话的关键需求。

根据当前客户预测和设计活动,RFMD预计RF3267和RF6266将在本季开始批量发货。

RFMD的RF3267是1频段(1920至 1980 MHz)、具有数控低功率模式的WCDMA/HSDPA 功率放大器,允许高达 19dBm 工作,降低了电流消耗。

NZ10150和WZ10150最大亮度分别可达95lm和120lm,平均亮度分别为80lm和105lm,Z1系列由具有高热导率的陶瓷制成,装有大型发光板,以便客户能够轻松控制灯的热度。这些特点使 Z1 能够在高温下更长时间发出强光,具有更高的可靠性,非常适用于室内和室外照明及家用器具的照明设计。

高亮度 LED,Z1 的厚度仅 1.2 毫米,像一张信用卡的厚度。因此,Z1 是各种小体积产品的最佳选择,紧随时代潮流。Z1可用于各种照明领域。其中,最典型的应用领域在于用显示屏替代安装于如冰箱和橱柜等狭小部位的板灯,以及安全灯和用于装饰的嵌灯等。

频率最高可达20千兆赫(GHz)的新款单片微波集成电路(MMIC)和分立晶体管。这些器件同时具备高功率附加效率(PAE)和高线性度,为5G、电子战、卫星通信、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的性能水平。

与所有Microchip的GaN射频功率产品一样,新器件采用碳化硅基氮化镓技术制造,提供了高功率密度和产量的最佳组合,可在高压下运行,255℃结温下使用寿命超过100万小时。

这些产品包括覆盖2至18GHz、12至20GHz、3dB压缩点(P3dB)射频输出功率高达20W、效率高达25%的12至20GHz的氮化镓MMIC.


(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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