Nexperia计划持续扩充SiC二极管产品组合，预计推出总共72款在650V和1200V电压、6-20A电流范围下工作的产品。随着人们的能源意识日渐增强，对于具备出色效率和功率密度的高功率应用的需求日益旺盛。而在这方面，硅将很快达到物理极限。

诸如氮化镓和碳化硅等宽禁带半导体现在能够很好地满足大批量应用的严格要求，为原始设备制造商带来更高的效率和功率密度，降低系统成本和运营成本。

Nexperia广泛的SiC二极管产品组合将为市场带来更多选择和便利性。

CS83702采用目前最先进的流片工艺；以及自身成熟稳定的Boost升压，ClassD音频功放电路设计；设置8.7V升压黄金电压点；再加上独创的基于铜管技术+石墨烯散热材料的EQA封装。使得CS83702驱动4欧姆负载时效率高达90%/Po=10W/RL=4Ω/VBAT=3.7V.

HBM的第二代HBM2正式成为工业标准。HBM的出现也是为了解决存储器带宽问题。与GDDR6不同的是，HBM内存一般是由4个或者8个HBM的Die堆叠形成，我们称之为一个Stack。

鉴于数据中心消耗了全球电力需求的1%左右。在此应用中，从主要能源来源到最终负载电压的转换效率的重要性毋庸置疑。为解决此问题，在较高的直流电电压及其相应的较低电流下,使用有“中间总线”的电路图进行配电,并用“负载点”直流转换器提供最终电压。

过去一直使用共源共栅的中间总线来尽量减小整个装置各处的损耗，但是当前趋势是从主交流电源生成48V的电压，在此时搭配备用电池，然后直接在负载处将48V转换成不到1V.这可以免除对第二个中间总线的需要，但是最终的大型降压转换率本身就带来了效率问题，需要有高性能的半导体开关。

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