SiC器件在这种模式下通常更坚固，因为这些垂直器件会吸收其体积中的热量，而GaN HEMT是在超薄二维电子气中产生热量的横向器件。SiC在线性模式应用中的优势显示了SiC常开JFET，SiC MOSFET和Si MOSFET 的归一化VTH对温度特性。

Si MOSFET，SiC JFET和Si MOSFET的V TH随温度的标准化变化情况。

显然，只有常导通的SiC FET才能避免VTH随温度下降。如果将某个设备用作电流源，或者甚至是在故意缓慢开关的固态断路器中，则将时间花费在低电流，低(VGS— VTH)的范围内。

由于使用4100T的用户可以同时测量多达4个不同位置的温度，因此执行多点控制功能所不能缺少的控制箱可以进一步减少，这样有助于缩小方案大小，也可节省系统成本。

此外，每一通道的读取速度可以高达1kHz，因此热反应会更快，让温度可以更易受控，并确保先进应用的温度更加一致，相关的应用包括快速热处理、激光退火、原子层沉积以及其他先进的沉积技术。

这款多通道的光纤温度计可按照特殊应用发射可配置波长，因此其准确度、可重复性和可靠性都特别高，而且读取速度也较快，适用于要求极为严格的温度测量工作。

AndesCore® D45是晶心科技RISC-V家族45系列成员之一，采用顺序执行的8级双发射超纯量技术，具有优化的存储流水线设计以及进阶分支预测功能，同时支持符合IEEE754的单/双精度浮点运算单元(FPU)及RISC-V P扩展指令(DSP/SIMD)。

45系列内核也具有区域内存(local memory)支持的储存子系统，以及可配置的指令及数据高速缓存，对支持海量存储器的SoC例如HPM6000系列，可进一步提升其软件效能。

D45核心非常适合用于对响应时间和实时准确性有特别要求的嵌入式应用产品。