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MDK解决了无散热器的封闭适配器中实现最高100W的功率

发布时间:2021/11/22 17:36:37 访问次数:187

驱动高耐压、低损耗SiC MOSFET的AC/DC转换器控制IC,并一直致力于开发充分发挥SiC功率半导体性能的IC,在行业中处于领先地位。此次又开发出全球首款※内置SiC MOSFET的AC/DC转换器IC,将大大促进采用SiC MOSFET的AC/DC转换器在工业领域的普及。

专为工业设备的辅助电源*3)用而优化的控制电路和SiC MOSFET一体化封装,使得新产品与普通产品相比具有诸多优势,部件数量显著减少(将12种产品和散热板缩减为1个产品),部件故障风险降低,引进SiC MOSFET相应的开发周期减少等,一举解决了诸多课题。

智能设备和电源自动化,人们对具有更强热性能、更高能效的解决方案的需求正在上升,因此氮化镓 (GaN) 器件正在迅速取代硅器件。

PowiGaN是 Power Integrations 内部开发的一项技术,能够让 InnoSwitch3 集成电路在满载范围内效率达到 95%,且在无散热器的封闭适配器中实现最高 100W 的功率。

GaN技术正在引领电力电子行业的变革,需要具备PowiGaN效率和集成水平的应用数量正在增加。Digi-Key能够接触到全球范围的工程人员,这对于我们为任何规模的客户提供支持而言是非常有价值的。

电机占全球总电力消耗的45%,因此电机驱动电子产品的可靠性和能效会影响世界环境及各种应用。安森美的获奖电源产品MDK解决了改善能源利用的迫切需求。

MDK含一系列不断扩展的驱动板,以创建快速启动平台来运行电机,这些驱动板连接到一个通用控制器板(UCB)。

UCB是个通用控制平台,可与任何驱动板连接,使工程师能够评估可替代各种类型的电机以及各种功率水平下的电机控制技术。

(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

驱动高耐压、低损耗SiC MOSFET的AC/DC转换器控制IC,并一直致力于开发充分发挥SiC功率半导体性能的IC,在行业中处于领先地位。此次又开发出全球首款※内置SiC MOSFET的AC/DC转换器IC,将大大促进采用SiC MOSFET的AC/DC转换器在工业领域的普及。

专为工业设备的辅助电源*3)用而优化的控制电路和SiC MOSFET一体化封装,使得新产品与普通产品相比具有诸多优势,部件数量显著减少(将12种产品和散热板缩减为1个产品),部件故障风险降低,引进SiC MOSFET相应的开发周期减少等,一举解决了诸多课题。

智能设备和电源自动化,人们对具有更强热性能、更高能效的解决方案的需求正在上升,因此氮化镓 (GaN) 器件正在迅速取代硅器件。

PowiGaN是 Power Integrations 内部开发的一项技术,能够让 InnoSwitch3 集成电路在满载范围内效率达到 95%,且在无散热器的封闭适配器中实现最高 100W 的功率。

GaN技术正在引领电力电子行业的变革,需要具备PowiGaN效率和集成水平的应用数量正在增加。Digi-Key能够接触到全球范围的工程人员,这对于我们为任何规模的客户提供支持而言是非常有价值的。

电机占全球总电力消耗的45%,因此电机驱动电子产品的可靠性和能效会影响世界环境及各种应用。安森美的获奖电源产品MDK解决了改善能源利用的迫切需求。

MDK含一系列不断扩展的驱动板,以创建快速启动平台来运行电机,这些驱动板连接到一个通用控制器板(UCB)。

UCB是个通用控制平台,可与任何驱动板连接,使工程师能够评估可替代各种类型的电机以及各种功率水平下的电机控制技术。

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