GaNSense 技术的新一代纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片有十个型号，他们都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、控制和保护的核心技术，所有产品的额定电压为650V/800V，具有2kV ESD保护。

新的GaNFast功率芯片的RDS(ON)范围为120至450毫欧，采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封装，具有GaNSense保护电路和无损电流感应。

作为纳微第三代氮化镓功率芯片，针对现代电源转换拓扑结构进行了优化，包括高频准谐振反激式（HFQR）、有源钳位反激式（ACF）和PFC升压，这些都是移动和消费市场内流行的提供最快、最高效和最小的充电器和适配器的技术方法。

电感电容网络将产生高通滤波器，因此耦合解决方案必须添加到不需要直流数据成分的数据线上。

但是，有些接口未在物理层进行编码以去除直流成分，例如，SPI。在这种情况下，系统设计人员需考虑最坏情况的直流成分场景，即数据帧中发送的所有位均为逻辑高电平（100% 直流成分）。

所选的电感还将具有指定的自谐振频率(SRF)，超过该频率时，电感值会下降，寄生电容会增加。这样，工程电源电路将同时充当低通和高通滤波器（带通）。基于模拟的建模可大大帮助系统设计人员了解该限制。

目标市场包括智能手机和笔记本电脑的快充充电器，估计每年有20亿美元的氮化镓市场机会，以及每年20亿美元的消费市场机会,包括一体机、电视、家庭网络和自动化设备。

与传统的硅功率芯片相比，每颗出货的GaNFast氮化镓功率芯片可以减少碳足迹 4-10 倍，可节省4千克的二氧化碳排放。

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